摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
第1章 绪论 | 第11-31页 |
1.1 引言 | 第11-12页 |
1.2 光伏发展史 | 第12页 |
1.3 太阳电池基本原理 | 第12-17页 |
1.3.1 光伏效应 | 第12-14页 |
1.3.2 太阳电池的等效电路 | 第14-15页 |
1.3.3 太阳电池的电学参数 | 第15-17页 |
1.4 太阳电池种类 | 第17-21页 |
1.4.1 硅太阳电池 | 第18-19页 |
1.4.2 砷化镓太阳电池 | 第19-20页 |
1.4.3 铜铟镓硒太阳电池 | 第20页 |
1.4.4 碲化镉太阳电池 | 第20页 |
1.4.5 钙钛矿太阳电池 | 第20-21页 |
1.5 碲化镉太阳电池概述 | 第21-24页 |
1.6 本论文主要研究内容 | 第24-26页 |
参考文献 | 第26-31页 |
第2章 氧化镍背接触缓冲层 | 第31-55页 |
2.1 引言 | 第31-32页 |
2.2 NiO的材料特性与应用 | 第32-33页 |
2.3 NiO薄膜的制备与表征 | 第33-36页 |
2.3.1 电子束蒸发法 | 第33-34页 |
2.3.2 NiO薄膜的表征 | 第34-36页 |
2.4 CdTe薄膜太阳电池的制备 | 第36-38页 |
2.5 CdTe/NiO界面的XPS研究 | 第38-40页 |
2.6 NiO背接触缓冲层对CdTe太阳电池器件的影响 | 第40-43页 |
2.7 NiO缓冲层对CdTe太阳电池背场作用的研究 | 第43-45页 |
2.7.1 NiO背场作用的验证 | 第43-44页 |
2.7.2 CdTe太阳电池的其他背场材料 | 第44-45页 |
2.8 Cu/NiO/Au背电极CdTe太阳电池的制备与稳定测试 | 第45-47页 |
2.9 本章小结 | 第47-48页 |
参考文献 | 第48-55页 |
第3章 碘化亚铜背接触缓冲层的研究 | 第55-69页 |
3.1 引言 | 第55-56页 |
3.2 CuI简介 | 第56-57页 |
3.3 CuI薄膜的制备方法 | 第57-58页 |
3.3.1 旋涂法 | 第57页 |
3.3.2 脉冲激光沉积法 | 第57页 |
3.3.3 热蒸发法 | 第57-58页 |
3.4 CuI薄膜的表征 | 第58-61页 |
3.4.1 X射线衍射谱 | 第58-59页 |
3.4.2 紫外-可见光透过谱 | 第59页 |
3.4.3 扫描电子显微镜 | 第59-61页 |
3.5 CuI/Au背电极CdTe太阳电池的性能 | 第61-64页 |
3.5.1 电池制备 | 第61-62页 |
3.5.2 亮态J-V曲线 | 第62-63页 |
3.5.3 暗态J-V曲线 | 第63-64页 |
3.6 CdTe/CuI界面能带匹配图 | 第64-66页 |
3.7 本章小结 | 第66-67页 |
参考文献 | 第67-69页 |
致谢 | 第69-71页 |
在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第71页 |