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碲化镉薄膜太阳电池背场缓冲层及电池制备研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
第1章 绪论第11-31页
    1.1 引言第11-12页
    1.2 光伏发展史第12页
    1.3 太阳电池基本原理第12-17页
        1.3.1 光伏效应第12-14页
        1.3.2 太阳电池的等效电路第14-15页
        1.3.3 太阳电池的电学参数第15-17页
    1.4 太阳电池种类第17-21页
        1.4.1 硅太阳电池第18-19页
        1.4.2 砷化镓太阳电池第19-20页
        1.4.3 铜铟镓硒太阳电池第20页
        1.4.4 碲化镉太阳电池第20页
        1.4.5 钙钛矿太阳电池第20-21页
    1.5 碲化镉太阳电池概述第21-24页
    1.6 本论文主要研究内容第24-26页
    参考文献第26-31页
第2章 氧化镍背接触缓冲层第31-55页
    2.1 引言第31-32页
    2.2 NiO的材料特性与应用第32-33页
    2.3 NiO薄膜的制备与表征第33-36页
        2.3.1 电子束蒸发法第33-34页
        2.3.2 NiO薄膜的表征第34-36页
    2.4 CdTe薄膜太阳电池的制备第36-38页
    2.5 CdTe/NiO界面的XPS研究第38-40页
    2.6 NiO背接触缓冲层对CdTe太阳电池器件的影响第40-43页
    2.7 NiO缓冲层对CdTe太阳电池背场作用的研究第43-45页
        2.7.1 NiO背场作用的验证第43-44页
        2.7.2 CdTe太阳电池的其他背场材料第44-45页
    2.8 Cu/NiO/Au背电极CdTe太阳电池的制备与稳定测试第45-47页
    2.9 本章小结第47-48页
    参考文献第48-55页
第3章 碘化亚铜背接触缓冲层的研究第55-69页
    3.1 引言第55-56页
    3.2 CuI简介第56-57页
    3.3 CuI薄膜的制备方法第57-58页
        3.3.1 旋涂法第57页
        3.3.2 脉冲激光沉积法第57页
        3.3.3 热蒸发法第57-58页
    3.4 CuI薄膜的表征第58-61页
        3.4.1 X射线衍射谱第58-59页
        3.4.2 紫外-可见光透过谱第59页
        3.4.3 扫描电子显微镜第59-61页
    3.5 CuI/Au背电极CdTe太阳电池的性能第61-64页
        3.5.1 电池制备第61-62页
        3.5.2 亮态J-V曲线第62-63页
        3.5.3 暗态J-V曲线第63-64页
    3.6 CdTe/CuI界面能带匹配图第64-66页
    3.7 本章小结第66-67页
    参考文献第67-69页
致谢第69-71页
在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果第71页

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