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BiFeO3及Bi2Fe4O9纳米材料的控制制备及性能研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第1章 绪论第10-34页
    1.1 研究背景第10页
    1.2 半导体性质和基本参数第10-16页
        1.2.1 直接带与间接带半导体第10-11页
        1.2.2 半导体带宽的计算第11-12页
        1.2.3 导带与价带位置的测试第12-14页
        1.2.4 掺杂对半导体性质的影响第14-15页
        1.2.5 各种常见的结的能带结构第15-16页
    1.3 纳米半导体材料的应用第16-23页
        1.3.1 光电探测器第16-17页
        1.3.2 太阳能电池第17-19页
        1.3.3 气敏传感器第19-20页
        1.3.4 光催化剂第20-22页
        1.3.5 光电催化第22-23页
    1.4 BiFeO_3及Bi_2Fe_4O_9材料第23-25页
        1.4.1 BiFeO_3及Bi_2Fe_4O_9材料概述第23-24页
        1.4.2 BiFeO_3及Bi_2Fe_4O_9纳米材料的研究进展第24-25页
    1.5 本文选题意义及内容第25-27页
    参考文献第27-34页
第2章 BiFeO_3纳米片的制备及其性能研究第34-50页
    2.1 引言第34-35页
    2.2 实验部分第35-47页
        2.2.1 实验试剂、测试仪器及器件的组装第35-37页
        2.2.2 材料制备第37页
        2.2.3 基本表征第37-44页
        2.2.4 气敏传感测试第44-46页
        2.2.5 气体传感器机制讨论第46-47页
    2.3 小结第47-48页
    参考文献第48-50页
第3章 Bi_2Fe_4O_9纳米片和微米棒的制备及光催化性能研究第50-60页
    3.1 绪论第50-51页
    3.2 实验药品与实验步骤第51-52页
        3.2.1 实验药品与仪器第51页
        3.2.2 实验步骤第51-52页
    3.3 样品的基本表征第52-55页
    3.4 光催化性能表征第55-56页
    3.5 小结第56-57页
    参考文献第57-60页
第4章 总结与展望第60-62页
致谢第62-64页
在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果第64页

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