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相位调制表面隐身技术研究

摘要第12-14页
Abstract第14-15页
第一章 绪论第16-29页
    1.1 课题背景意义第16-17页
    1.2 国内外研究现状第17-27页
        1.2.1 传统隐身方法第17-23页
            1.2.1.1 赋形隐身技术第17-19页
            1.2.1.2 吸波体隐身技术第19-22页
            1.2.1.3 有源对消隐身技术第22页
            1.2.1.4 干扰欺骗技术第22-23页
        1.2.2 相位调制隐身技术第23-27页
            1.2.2.1 无源相位调制隐身技术第23-25页
            1.2.2.2 有源相位调制隐身技术第25-27页
    1.3 本文内容及安排第27-29页
第二章 相位调制隐身方法研究第29-48页
    2.1 空间场叠加原理第29-37页
        2.1.1 线阵形式第29-34页
        2.1.2 面阵形式第34-37页
    2.2 时域调制隐身原理第37-47页
        2.2.1 周期相位调制方法第37-43页
        2.2.2 随机相位调制方法第43-46页
        2.2.3 调制方法对比第46-47页
    2.3 本章小结第47-48页
第三章 相位调制表面单元电磁特性第48-57页
    3.1 反射阵单元的相位特性第48-49页
    3.2 相位调制单元分类第49-54页
        3.2.1 尺寸变化单元相位分析第49-51页
        3.2.2 连接相位延迟线单元相位分析第51-52页
        3.2.3 单元旋转角度相位分析第52-53页
        3.2.4 孔径耦合单元相位分析第53-54页
    3.3 相位调制表面单元分析仿真方法第54-56页
        3.3.1 Floquet空间谐波分析方法第54-55页
        3.3.2 H-wall波导模拟器仿真方法第55-56页
    3.4 本章小结第56-57页
第四章 无源相位调制表面PPMS研究第57-75页
    4.1 单元分析设计第57-58页
    4.2 阵列设计方法研究第58-65页
        4.2.1 棋盘结构仿真第59-60页
        4.2.2 随机分布结构仿真第60-65页
            4.2.2.1 单层相位随机分布阵列设计第60-63页
            4.2.2.2 阵元数量对RCS的影响第63-64页
            4.2.2.3 相位随机分布范围对RCS的影响第64-65页
    4.3 多层设计研究第65-69页
    4.4 实验测量第69-72页
    4.5 相位调制表面共形设计研究分析第72-73页
    4.6 本章小结第73-75页
第五章 有源相位调制表面APMS研究第75-109页
    5.1 APMS设计第75-91页
        5.1.1 基本单元设计第75-80页
            5.1.1.1 对贴片边长P_x,p_y进行扫描第77-78页
            5.1.1.2 对缝隙长度slot_x进行扫描第78-79页
            5.1.1.3 对匹配枝节长st_l、宽st_w进行扫描第79-80页
        5.1.2 有源控制反射相位方法分析第80-87页
            5.1.2.1 极管等效分析第80-83页
            5.1.2.2 终端效应影响第83-84页
            5.1.2.3 等效电路分析第84-87页
        5.1.3 单元结构电磁仿真分析第87-89页
        5.1.4 馈电网络设计第89-90页
        5.1.5 阵列设计第90-91页
    5.2 自适应调制模块设计第91-99页
        5.2.1 调制码产生模块设计第91-92页
        5.2.2 自适应调制判决组件第92-97页
            5.2.2.1 单比特测频单元算法设计第93-94页
            5.2.2.2 单比特测频单元系统设计第94-96页
            5.2.2.3 单比特测频单元宽带信号测频效果仿真第96-97页
        5.2.3 自适应调制模式宽带信号抑制效果仿真第97-99页
    5.3 实验结果第99-108页
        5.3.1 单元测试第99-105页
            5.3.1.1 单元性能测试结果第99-103页
            5.3.1.2 单元Ⅰ型改变背板间隔d测试结果第103-104页
            5.3.1.3 单元Ⅰ型改变正向电流测试结果第104-105页
        5.3.2 阵列测试第105-108页
    5.4 本章小结第108-109页
第六章 结束语第109-112页
    6.1 本文主要研究成果第109-110页
    6.2 本文创新点总结第110页
    6.3 后续工作展望第110-112页
致谢第112-114页
参考文献第114-123页
作者在学期间取得的学术成果第123-124页
攻读博士学位期间参与的科研项目第124页

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