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介质阻挡放电增强热丝CVD沉积硅薄膜的研究

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
引言第9-10页
1 绪论第10-15页
   ·太阳能电池种类及发展第10-12页
     ·体材料太阳能电池第10页
     ·薄膜太阳能电池第10-12页
   ·非晶硅薄膜的制备方法第12-14页
 选题及其意义第14-15页
2 介质阻挡放电等离子体增强热化学气相沉积技术(DBD-HWCVD)第15-18页
   ·方法简介第15页
   ·工作原理第15-18页
     ·热化学气相沉积技术原理第15-16页
     ·介质阻挡放电原理第16-18页
3 DBD-HWCVD沉积系统及分析表征方法第18-23页
   ·DBD-HWCVD沉积系统介绍第18-19页
   ·分析表征方法第19-23页
4 DBD-HWCVD法沉积硅薄膜第23-40页
   ·实验过程与步骤第23页
   ·实验参数第23-24页
   ·结果与讨论第24-39页
     ·沉积气压和DBD峰值电压对薄膜沉积速率的影响第24-29页
     ·沉积气压和DBD峰值电压对薄膜光学带隙的影响第29-32页
     ·沉积气压和DBD峰值电压对薄膜晶化率的影响第32-36页
     ·沉积气压和DBD峰值电压对薄膜晶粒尺寸的影响第36-39页
   ·小结第39-40页
5 硅薄膜的电学特性研究第40-46页
   ·掺杂浓度对薄膜特性的影响第40-43页
   ·钨丝与衬底距离对薄膜性质的影响第43-44页
   ·小结第44-46页
结论第46-48页
参考文献第48-52页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第52-53页
致谢第53-54页

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