| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 引言 | 第9-10页 |
| 1 绪论 | 第10-17页 |
| ·扩散阻挡层 | 第10页 |
| ·无扩散阻挡层 | 第10-16页 |
| ·二元无扩散阻挡层 | 第11-14页 |
| ·多元无扩散阻挡层 | 第14-16页 |
| ·本课题的研究内容 | 第16-17页 |
| 2 薄膜制备及分析方法 | 第17-26页 |
| ·薄膜制备方法 | 第17-21页 |
| ·磁控溅射 | 第19页 |
| ·三靶磁控溅射系统K07-072 | 第19-20页 |
| ·退火设备 | 第20-21页 |
| ·薄膜分析方法 | 第21-26页 |
| ·电子探针 | 第21-22页 |
| ·俄歇电子能谱 | 第22页 |
| ·二次离子质谱仪 | 第22-23页 |
| ·X射线衍射仪 | 第23页 |
| ·透射电镜 | 第23-24页 |
| ·四探针测试仪 | 第24-26页 |
| 3 Cu(Sn)薄膜的微结构和电学性能分析 | 第26-35页 |
| ·电子探针(EPMA)分析结果 | 第26-27页 |
| ·四探针分析结果 | 第27-28页 |
| ·X射线衍射(XRD)分析结果 | 第28-30页 |
| ·透射电镜(TEM)分析结果 | 第30-32页 |
| ·Cu(1.4 at.% Sn)薄膜截面样品电镜分析 | 第30-31页 |
| ·Cu(1.1 at.% Sn)薄膜平面样品电镜分析 | 第31-32页 |
| ·Cu(0.6 at.% Sn)薄膜截面样品电镜分析 | 第32页 |
| ·分析与讨论 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-35页 |
| 4 Cu(C)薄膜的微结构和电学性能分析 | 第35-50页 |
| ·电子探针(EPMA)分析结果 | 第35-36页 |
| ·俄歇电子能谱(AES)分析结果 | 第36-37页 |
| ·二次离子质谱仪(SIMS)分析结果 | 第37-38页 |
| ·电阻率分析结果 | 第38-41页 |
| ·Cu(C)薄膜退火1h电阻率 | 第38-39页 |
| ·Cu(C)薄膜500℃长时间退火后的电阻率 | 第39-41页 |
| ·X射线衍射(XRD)分析结果 | 第41-43页 |
| ·Cu(C)薄膜退火1h后的XRD结果 | 第41-42页 |
| ·Cu(C)薄膜500℃长时间退火后的XRD结果 | 第42-43页 |
| ·透射电镜(TEM)分析结果 | 第43-49页 |
| ·Cu(4.6 at.% C)样品截面透射电镜分析 | 第43-45页 |
| ·Cu(4.7 at.% C)样品截面透射电镜分析 | 第45-48页 |
| ·透射电镜(TEM)平面样品分析结果 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 5 Cu(Sn,C)薄膜的微观结构和电学性能分析 | 第50-58页 |
| ·电子探针的分析结果 | 第50页 |
| ·俄歇电子能谱(AES)分析结果 | 第50-51页 |
| ·电阻率分析结果 | 第51-53页 |
| ·Cu(Sn,C)薄膜退火1h电阻率 | 第51-52页 |
| ·Cu(Sn,C)薄膜长时间退火电阻率 | 第52-53页 |
| ·X射线衍射(XRD)分析结果 | 第53-54页 |
| ·Cu(Sn,C)薄膜退火1h后的XRD结果 | 第53-54页 |
| ·Cu(Sn,C)薄膜长时间退火后的XRD结果 | 第54页 |
| ·透射电镜(TEM)分析结果 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
