基于In-Ga-Zn-O沟道薄膜晶体管存储器的研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第7-21页 |
| 1.1 引言 | 第7-8页 |
| 1.2 薄膜晶体管存储器的基本结构及工作原理 | 第8-13页 |
| 1.2.1 TFT存储器的基本结构 | 第8-10页 |
| 1.2.2 TFT存储器的工作原理 | 第10-13页 |
| 1.3 薄膜晶体管存储器中的材料及其制备方法 | 第13-20页 |
| 1.3.1 电荷隔离层材料 | 第13-14页 |
| 1.3.2 电荷俘获层材料 | 第14-16页 |
| 1.3.3 沟道材料 | 第16-20页 |
| 1.4 本章小结 | 第20-21页 |
| 第二章 IGZO薄膜的制备与性能表征 | 第21-31页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 实验方案 | 第21-23页 |
| 2.2.1 磁控溅射设备及基本原理 | 第21-22页 |
| 2.2.2 IGZO薄膜淀积工艺 | 第22-23页 |
| 2.3 IGZO薄膜厚度的测量 | 第23-24页 |
| 2.4 IGZO薄膜的电学性能分析 | 第24-28页 |
| 2.4.1 IGZO薄膜的电阻率 | 第24-25页 |
| 2.4.2 IGZO薄膜的载流子浓度 | 第25-27页 |
| 2.4.3 IGZO薄膜中载流子的迁移率 | 第27-28页 |
| 2.5 IGZO薄膜材料的光学特性分析 | 第28-30页 |
| 2.5.1 IGZO材料的光学禁带宽度 | 第28-29页 |
| 2.5.2 IGZO材料的透光特性 | 第29-30页 |
| 2.6 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 单层铂纳米晶薄膜晶体管存储器的性能研究 | 第31-48页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 实验方案 | 第31-34页 |
| 3.3 TFT存储器的性能分析 | 第34-46页 |
| 3.3.1 TFT存储器的结构特性 | 第34-35页 |
| 3.3.2 TFT存储器的电学性能 | 第35-36页 |
| 3.3.3 TFT存储器的编程擦写特性 | 第36-44页 |
| 3.3.4 TFT存储器的数据保持特性 | 第44-45页 |
| 3.3.5 TFT存储器的电学耐受性 | 第45-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 双层铂金属纳米晶薄膜晶体管存储器性能表征 | 第48-60页 |
| 4.1 引言 | 第48页 |
| 4.2 实验方案 | 第48-49页 |
| 4.3 双层纳米晶TFT存储器的性能分析 | 第49-56页 |
| 4.3.1 双层纳米晶TFT存储器的电学性能 | 第49-50页 |
| 4.3.2 双层纳米晶TFT存储器的编程擦除性能 | 第50-55页 |
| 4.3.3 双层纳米晶TFT存储器的数据保持特性 | 第55-56页 |
| 4.4 电可擦除TFT存储器的理论探讨 | 第56-59页 |
| 4.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-70页 |
| 硕士阶段取得的学术成果 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
