| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-22页 |
| 1.1 研究背景 | 第12页 |
| 1.2 影响半导体气敏性能的因素 | 第12-16页 |
| 1.2.1 金属氧化物组成 | 第12-13页 |
| 1.2.2 物相 | 第13页 |
| 1.2.3 形貌 | 第13-14页 |
| 1.2.4 颗粒尺寸 | 第14-16页 |
| 1.3 提升半导体金属氧化物气敏性能的途径 | 第16-19页 |
| 1.3.1 异质结 | 第16-17页 |
| 1.3.2 贵金属负载 | 第17-18页 |
| 1.3.3 离子掺杂 | 第18-19页 |
| 1.4 气敏机理 | 第19-20页 |
| 1.4.1 离子吸附模型 | 第19页 |
| 1.4.2 氧空位模型（还原-再氧化模型） | 第19-20页 |
| 1.5 本论文选题意义及研究内容 | 第20-22页 |
| 1.5.1 选题意义 | 第20页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第20-22页 |
| 第二章 C掺杂的多孔WO_3空心球的制备及其对痕量丙酮的气敏性能研究 | 第22-42页 |
| 2.1 前言 | 第22-23页 |
| 2.2 实验部分 | 第23-25页 |
| 2.2.1 化学试剂及仪器 | 第23-24页 |
| 2.2.2 结构表征 | 第24页 |
| 2.2.3 气敏性能表征 | 第24-25页 |
| 2.2.4 碳球的制备 | 第25页 |
| 2.2.5 C掺杂的多孔WO_3空心球的制备 | 第25页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第25-41页 |
| 2.3.1 材料表征 | 第25-33页 |
| 2.3.2 材料气敏性能研究 | 第33-41页 |
| 2.4 小结 | 第41-42页 |
| 第三章 Fe，C共掺杂的WO_3微球的制备及其对丙酮的气敏性能研究 | 第42-59页 |
| 3.1 前言 | 第42页 |
| 3.2 实验部分 | 第42-44页 |
| 3.2.1 化学试剂及仪器 | 第42-43页 |
| 3.2.2 结构表征 | 第43-44页 |
| 3.2.3 Fe, C共掺杂的核桃状WO_3微球的制备 | 第44页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第44-57页 |
| 3.3.1 材料表征 | 第44-52页 |
| 3.3.2 材料气敏性能研究 | 第52-57页 |
| 3.4 小结 | 第57-59页 |
| 第四章 结论与展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-69页 |
| 在校期间发表的学术论文 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
