| 中文摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 引言 | 第8-23页 |
| 1.1 课题的背景与意义 | 第9-10页 |
| 1.2 金属氧化物半导体气敏传感器简介 | 第10-16页 |
| 1.2.1 气敏传感器定义与主要参数 | 第10-12页 |
| 1.2.2 气敏传感器研究现状与趋势 | 第12-16页 |
| 1.3 课题相关异质结半导体简介 | 第16-21页 |
| 1.3.1 异质结的研究现状 | 第16-19页 |
| 1.3.2 氧化钨气敏传感器简介 | 第19-20页 |
| 1.3.3 氧化钒半导体简介 | 第20-21页 |
| 1.4 本实验研究的目的与内容 | 第21-23页 |
| 第二章 实验过程与相关理论 | 第23-36页 |
| 2.1 实验设备介绍 | 第23-25页 |
| 2.1.1 磁控溅射镀膜的工作原理 | 第23-24页 |
| 2.1.2 管式炉的工作原理 | 第24-25页 |
| 2.1.3 马弗炉的工作原理 | 第25页 |
| 2.2 纳米结构微观分析技术 | 第25-28页 |
| 2.2.1 场发射扫描电子显微镜分析技术 | 第25-26页 |
| 2.2.2 X射线衍射分析技术 | 第26-27页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜分析技术 | 第27-28页 |
| 2.2.4 X射线光电子能谱（XPS） | 第28页 |
| 2.3 氧化钨/氧化钒核壳异质结构纳米线阵列的制备过程 | 第28-34页 |
| 2.3.1 硅片基底的切割与清洗 | 第28-29页 |
| 2.3.2 钨薄膜的溅射沉积 | 第29-32页 |
| 2.3.3 管式炉生长纳米线结构 | 第32页 |
| 2.3.4 退火处理 | 第32-33页 |
| 2.3.5 氧化钒壳层的制备 | 第33页 |
| 2.3.6 电极的制备 | 第33-34页 |
| 2.4 气敏传感器性能测试 | 第34-36页 |
| 第三章 氧化钨/氧化钒核壳异质结纳米线微观分析 | 第36-42页 |
| 3.1 核壳异质纳米线形貌表征 | 第36-38页 |
| 3.2 核壳纳米线结构XRD分析 | 第38-39页 |
| 3.3 TEM分析与元素分析 | 第39-41页 |
| 3.4 核壳异质结纳米线生长机理研究 | 第41-42页 |
| 第四章 气敏性能研究与分析 | 第42-51页 |
| 4.1 气敏性能研究 | 第42-45页 |
| 4.2 气敏机理研究 | 第45-51页 |
| 第五章 氧化钨/氧化铜核壳异质结纳米线阵列研究 | 第51-56页 |
| 第六章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 6.1 结论 | 第56-57页 |
| 6.2 展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |