| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第15-53页 |
| 1.1 红外探测发展背景及应用 | 第15-18页 |
| 1.2 红外探测器材料体系 | 第18-29页 |
| 1.2.1 HgCdTe红外探测器 | 第19-23页 |
| 1.2.2 量子阱红外探测器 | 第23-26页 |
| 1.2.3 In Sb红外探测器 | 第26-27页 |
| 1.2.4 In As/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器 | 第27-29页 |
| 1.3 InAs/GaSb Ⅱ类超晶格 | 第29-41页 |
| 1.3.1 In As/GaSb Ⅱ类超晶格材料特性 | 第29-30页 |
| 1.3.2 InAs/GaSb Ⅱ类超晶格能带结构 | 第30-35页 |
| 1.3.3 InAs/GaSb Ⅱ类超晶格有效质量 | 第35-37页 |
| 1.3.4 In As/GaSb超晶格器件结构类型 | 第37-41页 |
| 1.4 InAs/GaSb超晶格器件光电特性 | 第41-47页 |
| 1.4.1 InAs/GaSb超晶格器件体暗电流机制 | 第42-46页 |
| 1.4.2 InAs/GaSb超晶格器件表面漏电流机制 | 第46-47页 |
| 1.5 InAs/GaSb超晶格材料与器件研究进展 | 第47-52页 |
| 1.6 本论文研究主要内容 | 第52-53页 |
| 第2章 实验原理和表征方法 | 第53-63页 |
| 2.1 分子束外延生长技术 | 第53-55页 |
| 2.2 材料特性主要表征方法 | 第55-57页 |
| 2.2.1 成分及结构分析 | 第55-56页 |
| 2.2.2 形貌及霍尔效应测试 | 第56-57页 |
| 2.3 样品光电性能测试方法 | 第57-61页 |
| 2.3.1 电学性能测试 | 第57-58页 |
| 2.3.2 光电响应测试 | 第58-60页 |
| 2.3.3 光致发光谱 | 第60-61页 |
| 2.4 晶格失配 | 第61-62页 |
| 2.5 器件工艺存在的困难 | 第62-63页 |
| 第3章 InAs/GaSb超晶格材料制备与表征 | 第63-77页 |
| 3.1 引言 | 第63-64页 |
| 3.2 超晶格材料的生长优化 | 第64-76页 |
| 3.2.1 超晶格材料的生长过程 | 第64页 |
| 3.2.2 GaSb层和InAs层的优化生长 | 第64-67页 |
| 3.2.3 生长温度对超晶格材料质量的影响 | 第67-70页 |
| 3.2.4 InSb界面对超晶格材料质量的影响 | 第70-76页 |
| 3.3 本章小结 | 第76-77页 |
| 第4章 InAs/GaSb超晶格器件设计与工艺研究 | 第77-93页 |
| 4.1 引言 | 第77-81页 |
| 4.2 InAs/GaSb超晶格结构设计 | 第81-84页 |
| 4.2.1 InAs/GaSb超晶格能带结构的模拟与计算 | 第81-82页 |
| 4.2.2 器件结构设计中生长参数及界面类型选择 | 第82-83页 |
| 4.2.3 器件结构具体参数 | 第83-84页 |
| 4.3 器件工艺优化 | 第84-92页 |
| 4.3.1 单元器件制备简介 | 第84-85页 |
| 4.3.2 清洗与光刻工艺优化 | 第85-87页 |
| 4.3.3 干法刻蚀及后续化学处理优化 | 第87-90页 |
| 4.3.4 钝化技术及欧姆接触实现 | 第90-92页 |
| 4.4 本章小结 | 第92-93页 |
| 第5章 InAs/GaSb超晶格红外探测器光电性能研究 | 第93-123页 |
| 5.1 引言 | 第93-94页 |
| 5.2 未钝化InAs/GaSb超晶格红外探测器暗电流机制研究 | 第94-100页 |
| 5.2.1 超晶格材料的结构及优化生长 | 第94-95页 |
| 5.2.2 未钝化超晶格器件的暗电流机制分析 | 第95-100页 |
| 5.3 钝化对InAs/GaSb超晶格红外探测器暗电流机制的影响 | 第100-112页 |
| 5.3.1 超晶格材料的结构及优化生长 | 第100-101页 |
| 5.3.2 钝化超晶格红外探测器件的暗电流机制 | 第101-107页 |
| 5.3.3 低温对InAs/GaSb超晶格钝化器件暗电流机制的影响 | 第107-112页 |
| 5.4 InAs/GaSb超晶格红外探测器表面漏电流机制 | 第112-117页 |
| 5.4.1 表面漏电流的来源分析 | 第112页 |
| 5.4.2 表面漏电流的拟合计算 | 第112-117页 |
| 5.5 InAs/GaSb超晶格红外探测器光电响应 | 第117-122页 |
| 5.5.1 器件光电流响应谱 | 第117-118页 |
| 5.5.2 器件量子效率机制分析 | 第118-122页 |
| 5.6 本章小结 | 第122-123页 |
| 结论 | 第123-125页 |
| 参考文献 | 第125-138页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第138-140页 |
| 致谢 | 第140-141页 |
| 个人简历 | 第141页 |
