| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 智能功率驱动芯片概述 | 第9-13页 |
| 1.1.1 智能功率驱动芯片的发展 | 第9-10页 |
| 1.1.2 智能功率驱动芯片的基本结构与应用 | 第10-11页 |
| 1.1.3 智能功率驱动芯片的优势 | 第11-13页 |
| 1.2 SOI-FRD在智能功率驱动芯片中的重要性 | 第13-14页 |
| 1.2.1 SOI-FRD在智能功率驱动芯片中的作用 | 第13页 |
| 1.2.2 SOI-FRD的反向恢复特性对智能功率驱动芯片的影响 | 第13-14页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第14-17页 |
| 1.3.1 国外研究现状 | 第15-17页 |
| 1.3.2 国内研究现状 | 第17页 |
| 1.4 研究内容与设计指标 | 第17-21页 |
| 1.4.1 研究内容 | 第17-18页 |
| 1.4.2 设计指标 | 第18页 |
| 1.4.3 本文写作基础与论文组织结构 | 第18-21页 |
| 第二章 SOI-FRD器件工作原理 | 第21-33页 |
| 2.1 SOI-FRD器件的耐压原理 | 第21-28页 |
| 2.1.1 SOI-FRD器件的纵向耐压 | 第21-25页 |
| 2.1.2 SOI-FRD器件的横向耐压 | 第25-28页 |
| 2.2 SOI-FRD器件的正向导通原理 | 第28-29页 |
| 2.3 SOI-FRD器件反向恢复原理 | 第29-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 SOI-FRD器件反向恢复特性的研究 | 第33-45页 |
| 3.1 影响SOI-FRD器件的反向恢复特性的因素 | 第33-36页 |
| 3.1.1 正向导通电流密度的影响 | 第33-34页 |
| 3.1.2 漂移区宽度的影响 | 第34-35页 |
| 3.1.3 载流子注入效率的影响 | 第35-36页 |
| 3.1.4 载流子寿命的影响 | 第36页 |
| 3.2 SOI-FRD器件常用技术与优缺点 | 第36-39页 |
| 3.2.1 载流子寿命控制技术 | 第36-37页 |
| 3.2.2 肖特基接触 | 第37-38页 |
| 3.2.3 陷阱埋氧层结构 | 第38-39页 |
| 3.3 SOI-FRD器件反向恢复解析模型 | 第39-44页 |
| 3.3.1 PIN二极管反向恢复建模 | 第39-43页 |
| 3.3.2 SOI-FRD器件设计理论 | 第43-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 PT-IDDOT快恢复二极管的设计与仿真分析 | 第45-57页 |
| 4.1 PT-IDDOT结构 | 第45-46页 |
| 4.2 PT-IDDOT结构的耐压设计 | 第46-49页 |
| 4.3 PT-IDDOT结构的正向导通压降设计 | 第49-51页 |
| 4.4 PT-IDDOT结构的反向恢复时间设计 | 第51-53页 |
| 4.5 PT-IDDOT结构的反向恢复软度设计 | 第53-55页 |
| 4.6 本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 PT-IDDOT快恢复二极管的流片及测试 | 第57-65页 |
| 5.1 PT-IDDOT结构的工艺流程设计 | 第57-60页 |
| 5.2 PT-IDDOT结构的测试结果 | 第60-63页 |
| 5.2.1 PT-IDDOT结构的耐压测试结果 | 第60页 |
| 5.2.2 PT-IDDOT结构的正向导通压降测试结果 | 第60-61页 |
| 5.2.3 PT-IDDOT结构的反向恢复测试结果 | 第61-63页 |
| 5.3 本章小结 | 第63-65页 |
| 第六章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 6.1 总结 | 第65-66页 |
| 6.2 展望 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 攻读硕士学位期间的成果和发表的论文 | 第73页 |
