| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-28页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第12-13页 |
| 1.2 阻变存储器的研究背景与研究意义 | 第13-19页 |
| 1.2.1 阻变存储器的简介 | 第14-15页 |
| 1.2.2 阻变存储器的性能数据的表征 | 第15-17页 |
| 1.2.3 阻变存储器的分类 | 第17-19页 |
| 1.3 基于有机材料的阻变存储器 | 第19-25页 |
| 1.3.1 有机电子学研究现状 | 第19-20页 |
| 1.3.2 可降解电子的研究现状 | 第20-21页 |
| 1.3.3 基于有机材料的阻变存储器的发展历程 | 第21-22页 |
| 1.3.4 基于有机材料阻变存储器的阻变机理 | 第22-25页 |
| 1.4 论文的研究内容和章节安排 | 第25-28页 |
| 1.4.1 论文的研究内容 | 第25页 |
| 1.4.2 各章节内容安排 | 第25-28页 |
| 第二章 器件制备与测试 | 第28-38页 |
| 2.1 设备简介 | 第28-30页 |
| 2.1.1 高真空复合镀膜系统 | 第28-29页 |
| 2.1.2 直流磁控溅射系统 | 第29-30页 |
| 2.2 器件制备的工艺流程 | 第30-36页 |
| 2.2.1 衬底的准备 | 第30-31页 |
| 2.2.2 介质层材料的准备 | 第31-33页 |
| 2.2.3 金属掩膜版的设计 | 第33-34页 |
| 2.2.4 器件的制备 | 第34-36页 |
| 2.3 器件的测试 | 第36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-38页 |
| 第三章 基于W/gelatin/Mg结构阻变存储器性能的分析 | 第38-52页 |
| 3.1 W/gelatin/Mg器件的制备 | 第38-39页 |
| 3.2 W/gelatin/Mg结构阻变存储器电阻开关特性的研究 | 第39-41页 |
| 3.2.1 W/gelatin/Mg结构阻变存储器激活过程 | 第39-40页 |
| 3.2.2 W/gelatin/Mg结构阻变存储器电阻开关特性 | 第40-41页 |
| 3.3 W/gelatin/Mg结构阻变存储器阻变机理的分析 | 第41-45页 |
| 3.3.1 W/gelatin/Mg结构阻变存储器C-AFM测试结果的分析 | 第41-42页 |
| 3.3.2 W/gelatin/Mg结构阻变存储器阻变机理的探讨 | 第42-45页 |
| 3.4 W/gelatin/Mg结构阻变存储器持久性与可重复性 | 第45-48页 |
| 3.4.1 W/gelatin/Mg结构阻变存储器的可重复性 | 第47页 |
| 3.4.2 W/gelatin/Mg结构阻变存储器的可持续性 | 第47-48页 |
| 3.5 可降解阻变存储器件的研究 | 第48-49页 |
| 3.6 本章小结 | 第49-52页 |
| 第四章 W/gelatin/Mg结构阻变存储器性能的制作工艺影响因素的研究 | 第52-60页 |
| 4.1 明胶薄膜厚度对W/gelatin/Mg阻变存储器性能的影响 | 第52-54页 |
| 4.1.1 不同厚度的W/gelatin/Mg阻变存储器的制备 | 第52页 |
| 4.1.2 不同厚度的W/gelatin/Mg阻变存储器I-V曲线的分析 | 第52-53页 |
| 4.1.3 不同厚度的W/gelatin/Mg阻变存储器开关比的分析 | 第53-54页 |
| 4.2 明胶薄膜烘烤温度对W/gelatin/Mg阻变存储器性能的影响 | 第54-56页 |
| 4.2.1 不同烘烤温度W/gelatin/Mg阻变存储器的制备 | 第54页 |
| 4.2.2 不同烘烤温度的W/gelatin/Mg阻变存储器I-V曲线的分析 | 第54-55页 |
| 4.2.3 不同烘烤温度的W/gelatin/Mg阻变存储器开关比的分析 | 第55-56页 |
| 4.3 温度对W/gelatin/Mg结构器件性能的影响 | 第56-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-60页 |
| 第五章 电极与衬底材料对基于明胶薄膜忆阻器的研究 | 第60-70页 |
| 5.1 不同金属电极对阻变存储器结构器件性能的影响 | 第60-63页 |
| 5.1.1 不同金属电极阻变存储器的制备 | 第60-61页 |
| 5.1.2 不同金属电极阻变存储器件I-V曲线的分析 | 第61-62页 |
| 5.1.3 不同金属电极阻变存储器器件I-V开关比的分析 | 第62-63页 |
| 5.2 不同衬底上器件的制备和测试 | 第63-68页 |
| 5.2.1 透明玻璃上的阻变存储器 | 第63-64页 |
| 5.2.2 明胶衬底阻变存储器 | 第64-65页 |
| 5.2.3 PLA衬底的阵列结构器件 | 第65-66页 |
| 5.2.4 不同衬底测试结果的分析 | 第66-68页 |
| 5.3 本章小结 | 第68-70页 |
| 第六章 总结与展望 | 第70-74页 |
| 6.1 论文主要研究内容和成果 | 第70-71页 |
| 6.2 论文的不足之处及进一步工作 | 第71-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 作者简历及在学期间所取得的科研成果 | 第78页 |
