| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第10-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-19页 |
| 1.1 引言 | 第15页 |
| 1.2 LED的优势 | 第15-17页 |
| 1.3 紫外LED应用及优势 | 第17页 |
| 1.4 紫外LED国内外发展情况和趋势 | 第17-18页 |
| 1.5 本文研究内容 | 第18-19页 |
| 第二章 GaN材料及其表征 | 第19-31页 |
| 2.1 GaN晶体结构 | 第19-20页 |
| 2.2 GaN性质 | 第20-21页 |
| 2.3 MOCVD生长GaN | 第21-25页 |
| 2.3.1 MOCVD生长GaN薄膜机理 | 第22页 |
| 2.3.2 GaN薄膜生长的工艺流程 | 第22-23页 |
| 2.3.3 本论文采用的MOCVD外延设备 | 第23-24页 |
| 2.3.4 衬底的选择 | 第24-25页 |
| 2.4 材料表征介绍 | 第25-29页 |
| 2.4.1 X射线衍射（XRD） | 第25-26页 |
| 2.4.2 原子力显微镜（AFM） | 第26-27页 |
| 2.4.3 光致发光谱（PL） | 第27-28页 |
| 2.4.4 电致发光(EL) | 第28-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 LED及多量子阱(MQWs)简介 | 第31-41页 |
| 3.1 LED介绍 | 第31-33页 |
| 3.1.1 LED基本原理 | 第31页 |
| 3.1.2 LED伏安特性（V-I） | 第31-32页 |
| 3.1.3 LED的光谱特性 | 第32-33页 |
| 3.1.4 LED的热特性 | 第33页 |
| 3.2 多量子阱（MWQs）介绍 | 第33-37页 |
| 3.2.1 有源层结构 | 第33-34页 |
| 3.2.2 InGaN中的应力 | 第34-36页 |
| 3.2.3 InGaN生长模型 | 第36-37页 |
| 3.3 量子阱内量子效率的提高 | 第37-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 量子阱势阱层材料生长 | 第41-65页 |
| 4.1 实验过程及参数设置 | 第41-44页 |
| 4.1.1 量子阱势阱层材料生长实验 | 第41-43页 |
| 4.1.2 实验样品生长条件参数 | 第43-44页 |
| 4.2 InGaN势阱层材料生长条件调整实验数据与讨论 | 第44-63页 |
| 4.2.1 势阱层生长温度调整实验 | 第44-51页 |
| 4.2.2 势阱层掺In流量调整实验 | 第51-58页 |
| 4.2.3 势阱层生长温度和掺In流量共同调整 | 第58-63页 |
| 4.3 本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 作者简介 | 第73-74页 |