| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 1 引言 | 第10-16页 |
| 1.1 单模光纤的研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 提高光纤抗弯曲性能的主要工艺 | 第11-14页 |
| 1.3 光纤弯曲损耗的研究方法及现状 | 第14-15页 |
| 1.4 本文的结构安排 | 第15-16页 |
| 2 光纤弯曲损耗的理论分析 | 第16-25页 |
| 2.1 弯曲损耗的物理本质 | 第16页 |
| 2.2 单模光纤的性能参数 | 第16-19页 |
| 2.2.1 模场直径的计算 | 第17-18页 |
| 2.2.2 截止波长的计算 | 第18-19页 |
| 2.2.3 性能参数PI | 第19页 |
| 2.3 光纤弯曲损耗的理论计算 | 第19-24页 |
| 2.4 本章总结 | 第24-25页 |
| 3 低弯曲损耗单模光纤设计 | 第25-36页 |
| 3.1 光纤参数对弯曲损耗、PI的影响 | 第25-33页 |
| 3.1.1 纤芯半径对弯曲损耗、PI的影响 | 第26-28页 |
| 3.1.2 下陷层与芯层之间的距离b对弯曲损耗的影响 | 第28-30页 |
| 3.1.3 下陷层的深Δn_t对弯曲损耗的影响 | 第30-31页 |
| 3.1.4 下陷层的宽度c对弯曲损耗的影响 | 第31-33页 |
| 3.2 阶跃型光纤和带有下陷层结构光纤弯曲性能对比 | 第33-35页 |
| 3.2.1 阶跃型光纤和带有下陷层结构光纤弯曲损耗对比 | 第33页 |
| 3.2.2 阶跃型光纤和带有下陷层结构光纤PI对比 | 第33-34页 |
| 3.2.3 波长对PI值的影响 | 第34-35页 |
| 3.3 本章总结 | 第35-36页 |
| 4 BIF研制及弯曲损耗的测量 | 第36-58页 |
| 4.1 BIF的研制 | 第36-41页 |
| 4.1.1 预制棒原料的选取 | 第36-37页 |
| 4.1.2 制作光纤预制棒 | 第37-39页 |
| 4.1.3 拉丝和涂覆 | 第39-40页 |
| 4.1.4 制作结果 | 第40-41页 |
| 4.2 SMF-28光纤 | 第41-44页 |
| 4.2.1 光纤结构 | 第41-42页 |
| 4.2.2 实验测量 | 第42-43页 |
| 4.2.3 实验数据与理论对比 | 第43-44页 |
| 4.3 G.657系列光纤 | 第44-51页 |
| 4.3.1 ITU-T标准对G.657系列光纤的参数规定 | 第45页 |
| 4.3.2 光纤结构 | 第45-47页 |
| 4.3.3 实验测量 | 第47-49页 |
| 4.3.4 实验数据与理论对比 | 第49-51页 |
| 4.4 BIF光纤 | 第51-53页 |
| 4.4.1 光纤结构 | 第51页 |
| 4.4.2 实验测量 | 第51-52页 |
| 4.4.3 实验数据与理论对比 | 第52-53页 |
| 4.5 光纤性能参数对比 | 第53-56页 |
| 4.5.1 弯曲损耗的对比 | 第53-54页 |
| 4.5.2 截止波长的测量方法 | 第54-56页 |
| 4.6 本章总结 | 第56-58页 |
| 5 结论与展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 作者简历 | 第62-64页 |
| 学位论文数据集 | 第64页 |
