| 摘要 | 第7-9页 |
| Abstract | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第12-54页 |
| 1.1 拓扑绝缘体 | 第12-31页 |
| 1.1.1 自旋电子学与拓扑绝缘体 | 第12-15页 |
| 1.1.2 量子霍尔效应 | 第15-17页 |
| 1.1.3 量子自旋霍尔效应 | 第17-20页 |
| 1.1.4 三维拓扑绝缘体 | 第20-31页 |
| 1.2 拓扑半金属 | 第31-38页 |
| 1.2.1 Dirac方程和Weyl方程 | 第32-33页 |
| 1.2.2 三维Dirac半金属 | 第33-35页 |
| 1.2.3 Weyl半金属 | 第35-38页 |
| 1.3 材料中的电子输运 | 第38-43页 |
| 1.3.1 弱局域化和弱反局域化 | 第39-41页 |
| 1.3.2 AB效应和AAS效应 | 第41-42页 |
| 1.3.3 普适电导涨落(UCF) | 第42-43页 |
| 1.4 本文主要内容概要 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-54页 |
| 第二章 实验技术 | 第54-73页 |
| 2.1 样品的制备方法 | 第54-60页 |
| 2.2 样品表征手段 | 第60-66页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第60-62页 |
| 2.2.2 透射电子显微镜(TEM) | 第62-64页 |
| 2.2.3 其他表征手段 | 第64-66页 |
| 2.3 纳米器件的制备 | 第66-68页 |
| 2.4 输运测量方法 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 第三章 铋基拓扑绝缘体纳米线的制备、表征和输运研究 | 第73-99页 |
| 3.1 CVD法制备样品的生长机理 | 第73-76页 |
| 3.2 纳米材料的制备及表征 | 第76-89页 |
| 3.2.1 Bi_2Se_3纳米线 | 第76-83页 |
| 3.2.2 三元Bi_2Te_(3-x)Se_x纳米线 | 第83-84页 |
| 3.2.3 TI纳米结构中的磁性掺杂 | 第84-89页 |
| 3.3 TI纳米线中若干输运现象的研究 | 第89-95页 |
| 3.3.1 纳米线中的WAL效应 | 第90-92页 |
| 3.3.2 纳米线中的AB效应 | 第92-95页 |
| 3.4 本章小结 | 第95-96页 |
| 参考文献 | 第96-99页 |
| 第四章 狄拉克半金属Cd_3As_2纳米结构的形貌调控及生长机理 | 第99-120页 |
| 4.1 传统的CVD法制备Cd_3As_2纳米线 | 第99-108页 |
| 4.1.1 无催化剂制备Cd_3As_2纳米线 | 第100-104页 |
| 4.1.2 Au催化制备Cd_3As_2纳米线 | 第104-108页 |
| 4.2 改进的CVD法制备Cd_3As_2纳米结构 | 第108-113页 |
| 4.2.1 样品的制备 | 第108-109页 |
| 4.2.2 样品的形貌调控及生长机理 | 第109-113页 |
| 4.2.2.1 样品形貌的压力调控 | 第109-111页 |
| 4.2.2.2 样品形貌的Ar气流调控 | 第111-112页 |
| 4.2.2.3 生长机理 | 第112-113页 |
| 4.3 纳米结构的表征 | 第113-116页 |
| 4.3.1 SEM(EDS)表征 | 第113-114页 |
| 4.3.2 TEM表征 | 第114-115页 |
| 4.3.3 Raman和XRD表征 | 第115-116页 |
| 4.4 本章小绪 | 第116-118页 |
| 参考文献 | 第118-120页 |
| 第五章 Cd_3As_2纳米线和纳米带中的电子输运 | 第120-133页 |
| 5.1 研究背景 | 第120-123页 |
| 5.2 Cd_3As_2纳米线的输运特性 | 第123-126页 |
| 5.3 Cd_3As_2纳米带的输运特性 | 第126-129页 |
| 5.4 本章小结 | 第129-130页 |
| 参考文献 | 第130-133页 |
| 第六章 总结与展望 | 第133-135页 |
| 攻读博士学位期间发表和待发表的学术论文 | 第135-136页 |
| 致谢 | 第136-137页 |
