表面电极离子阱的模型研究与工艺设计
摘要 | 第1-11页 |
ABSTRACT | 第11-13页 |
第一章 绪论 | 第13-21页 |
·研究背景 | 第13-16页 |
·量子计算的产生与发展 | 第13-14页 |
·量子计算机的物理实现 | 第14-16页 |
·表面电极离子阱的产生与发展 | 第16页 |
·研究现状 | 第16-18页 |
·理论模型研究 | 第17页 |
·科学实验研究 | 第17-18页 |
·本文的主要内容 | 第18-19页 |
·本文的组织结构 | 第19-21页 |
第二章 相关理论与实验平台概述 | 第21-33页 |
·量子计算理论概述 | 第21-23页 |
·离子阱量子计算原理概述 | 第23-25页 |
·表面电极离子阱的理论模型 | 第25-29页 |
·势阱深度模型 | 第26-28页 |
·离子加热速率模型 | 第28-29页 |
·实验平台概述 | 第29-32页 |
·计算机模拟平台 | 第29-31页 |
·物理实验平台 | 第31-32页 |
·本章小结 | 第32-33页 |
第三章 表面电极离子阱模型研究 | 第33-45页 |
·衬底的功率损失与电势损失 | 第33-38页 |
·衬底等效电路模型 | 第33-36页 |
·衬底的功率损失与电势损失的解析表达 | 第36-38页 |
·表面电极离子阱的势阱深度 | 第38-40页 |
·表面电极离子阱的离子加热速率 | 第40-43页 |
·本章小结 | 第43-45页 |
第四章 表面电极离子阱的优化设计 | 第45-57页 |
·电极尺寸设计 | 第45-48页 |
·衬底结构设计 | 第48-49页 |
·材料选择 | 第49-50页 |
·电极材料 | 第49-50页 |
·衬底材料 | 第50页 |
·模拟仿真与结果分析 | 第50-56页 |
·电极尺寸设计对表面电极离子阱的优化 | 第51-52页 |
·VTIS衬底结构对表面电极离子阱的优化 | 第52-56页 |
·本章小结 | 第56-57页 |
第五章 表面电极离子阱工艺设计 | 第57-67页 |
·工艺流程总述 | 第57-58页 |
·晶片清洗 | 第58页 |
·热蒸发 | 第58-59页 |
·版图与光刻 | 第59-62页 |
·电镀 | 第62-65页 |
·剥离阻挡层,刻蚀 | 第65页 |
·键合 | 第65-66页 |
·本章小结 | 第66-67页 |
第六章 结束语 | 第67-69页 |
·论文工作总结 | 第67页 |
·需要进一步完善的工作 | 第67-69页 |
致谢 | 第69-71页 |
参考文献 | 第71-75页 |
作者在学期间取得的学术成果 | 第75页 |