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表面电极离子阱的模型研究与工艺设计

摘要第1-11页
ABSTRACT第11-13页
第一章 绪论第13-21页
   ·研究背景第13-16页
     ·量子计算的产生与发展第13-14页
     ·量子计算机的物理实现第14-16页
     ·表面电极离子阱的产生与发展第16页
   ·研究现状第16-18页
     ·理论模型研究第17页
     ·科学实验研究第17-18页
   ·本文的主要内容第18-19页
   ·本文的组织结构第19-21页
第二章 相关理论与实验平台概述第21-33页
   ·量子计算理论概述第21-23页
   ·离子阱量子计算原理概述第23-25页
   ·表面电极离子阱的理论模型第25-29页
     ·势阱深度模型第26-28页
     ·离子加热速率模型第28-29页
   ·实验平台概述第29-32页
     ·计算机模拟平台第29-31页
     ·物理实验平台第31-32页
   ·本章小结第32-33页
第三章 表面电极离子阱模型研究第33-45页
   ·衬底的功率损失与电势损失第33-38页
     ·衬底等效电路模型第33-36页
     ·衬底的功率损失与电势损失的解析表达第36-38页
   ·表面电极离子阱的势阱深度第38-40页
   ·表面电极离子阱的离子加热速率第40-43页
   ·本章小结第43-45页
第四章 表面电极离子阱的优化设计第45-57页
   ·电极尺寸设计第45-48页
   ·衬底结构设计第48-49页
   ·材料选择第49-50页
     ·电极材料第49-50页
     ·衬底材料第50页
   ·模拟仿真与结果分析第50-56页
     ·电极尺寸设计对表面电极离子阱的优化第51-52页
     ·VTIS衬底结构对表面电极离子阱的优化第52-56页
   ·本章小结第56-57页
第五章 表面电极离子阱工艺设计第57-67页
   ·工艺流程总述第57-58页
   ·晶片清洗第58页
   ·热蒸发第58-59页
   ·版图与光刻第59-62页
   ·电镀第62-65页
   ·剥离阻挡层,刻蚀第65页
   ·键合第65-66页
   ·本章小结第66-67页
第六章 结束语第67-69页
   ·论文工作总结第67页
   ·需要进一步完善的工作第67-69页
致谢第69-71页
参考文献第71-75页
作者在学期间取得的学术成果第75页

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