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BESⅢ上半轻衰变D+→ω(φ)e+ve的研究和弱衰变J/ψ→Ds(*)-e+ve的寻找

摘要第1-6页
Abstract第6-19页
第一章 绪论第19-31页
   ·粒子物理学导引第19页
   ·标准模型第19-22页
   ·粲物理第22-28页
     ·J/ψ粒子和粲夸克偶素第22页
     ·D介子的发现第22-24页
     ·D介子的衰变第24页
     ·D介子的半轻衰变第24-28页
   ·论文结构第28-29页
   ·本章小结第29-31页
第二章 实验装置第31-43页
   ·北京正负电子对撞机(BEPCⅡ)第31-34页
     ·注束器(injector)第32-33页
     ·输运线(transportation line)第33页
     ·储存环(storage ring)第33-34页
   ·北京谱仪(BESⅢ)第34-40页
     ·多层结构漂移室(MDC)第35-36页
     ·飞行时间计数器(TOF)第36页
     ·电磁量能器(EMC)第36-37页
     ·超导磁铁(SSM)第37页
     ·μ子探测器(Muon Identifier)第37-38页
     ·触发系统(Trigger)第38-39页
     ·数据获取系统(DAQ)第39页
     ·离线软件系统(BOSS)第39-40页
   ·本章小结第40-43页
第三章 半轻衰变D~+→ω(Φ)e~+v_e的研究第43-107页
   ·物理动机第43-45页
   ·粲介子半轻衰变分支比测量方法第45-46页
   ·分析环境第46-47页
   ·事例选择第47-58页
     ·带电粒子选择第48-49页
     ·中性粒子选择第49页
     ·末态辐射光子修正第49-50页
     ·D标记候选者选择第50-54页
     ·D半轻衰变候选者选择第54-58页
   ·本底研究第58-67页
     ·电子鉴别进阶第58-59页
     ·D~+→ωe~+v_e本底解析第59-65页
     ·D~+→φe~+v_e本底解析第65-67页
   ·信号模型和效率第67-73页
     ·单标记效率第67-70页
     ·标记+信号联合效率第70-73页
   ·测量结果第73-77页
     ·半轻衰变D~+→ωe~+v_e分支比第74-76页
     ·半轻衰变D~+→φe~+v_e分支比上限第76-77页
   ·测量检查第77-81页
     ·电荷共轭检查第77-78页
     ·输入输出检查第78-81页
     ·M(ω)边带事例检查第81页
   ·系统误差第81-93页
     ·寻迹效率误差第82页
     ·粒子鉴别误差第82-84页
     ·π~0重建效率误差第84页
     ·信号MC产生子误差第84-85页
     ·MC样本统计量误差第85页
     ·ω(φ)衰变分支比误差第85页
     ·ω(φ)质量窗口约束误差第85-87页
     ·K_S~0剪除误差第87-90页
     ·FSR修正误差第90页
     ·额外光子剪除误差第90页
     ·信号区间误差第90页
     ·信号形状误差第90-92页
     ·本底模型构造误差第92页
     ·分支比测量系统误差总结第92-93页
   ·半轻衰变D~+→ωe~+v_e形状因子第93-106页
     ·微分衰变宽度公式化第95-97页
     ·拟合方法第97-99页
     ·拟合结果第99页
     ·拟合稳定性检验第99-101页
     ·形状因子测量的系统误差第101-106页
   ·本章小结第106-107页
第四章 寻找稀有衰变J/ψ→D_s~((*)-)e~+v_e第107-119页
   ·物理动机第107-108页
   ·分析环境第108页
   ·事例选择第108-111页
   ·测量结果第111-113页
   ·系统误差第113-116页
     ·信号修正效率系统误差第113-114页
     ·通用系统误差第114-116页
     ·分支比上限计算第116页
   ·本章小结第116-119页
第五章 总结和展望第119-121页
参考文献第121-129页
简历与科研成果第129-131页
致谢第131-133页

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