摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-19页 |
第一章 绪论 | 第19-31页 |
·粒子物理学导引 | 第19页 |
·标准模型 | 第19-22页 |
·粲物理 | 第22-28页 |
·J/ψ粒子和粲夸克偶素 | 第22页 |
·D介子的发现 | 第22-24页 |
·D介子的衰变 | 第24页 |
·D介子的半轻衰变 | 第24-28页 |
·论文结构 | 第28-29页 |
·本章小结 | 第29-31页 |
第二章 实验装置 | 第31-43页 |
·北京正负电子对撞机(BEPCⅡ) | 第31-34页 |
·注束器(injector) | 第32-33页 |
·输运线(transportation line) | 第33页 |
·储存环(storage ring) | 第33-34页 |
·北京谱仪(BESⅢ) | 第34-40页 |
·多层结构漂移室(MDC) | 第35-36页 |
·飞行时间计数器(TOF) | 第36页 |
·电磁量能器(EMC) | 第36-37页 |
·超导磁铁(SSM) | 第37页 |
·μ子探测器(Muon Identifier) | 第37-38页 |
·触发系统(Trigger) | 第38-39页 |
·数据获取系统(DAQ) | 第39页 |
·离线软件系统(BOSS) | 第39-40页 |
·本章小结 | 第40-43页 |
第三章 半轻衰变D~+→ω(Φ)e~+v_e的研究 | 第43-107页 |
·物理动机 | 第43-45页 |
·粲介子半轻衰变分支比测量方法 | 第45-46页 |
·分析环境 | 第46-47页 |
·事例选择 | 第47-58页 |
·带电粒子选择 | 第48-49页 |
·中性粒子选择 | 第49页 |
·末态辐射光子修正 | 第49-50页 |
·D标记候选者选择 | 第50-54页 |
·D半轻衰变候选者选择 | 第54-58页 |
·本底研究 | 第58-67页 |
·电子鉴别进阶 | 第58-59页 |
·D~+→ωe~+v_e本底解析 | 第59-65页 |
·D~+→φe~+v_e本底解析 | 第65-67页 |
·信号模型和效率 | 第67-73页 |
·单标记效率 | 第67-70页 |
·标记+信号联合效率 | 第70-73页 |
·测量结果 | 第73-77页 |
·半轻衰变D~+→ωe~+v_e分支比 | 第74-76页 |
·半轻衰变D~+→φe~+v_e分支比上限 | 第76-77页 |
·测量检查 | 第77-81页 |
·电荷共轭检查 | 第77-78页 |
·输入输出检查 | 第78-81页 |
·M(ω)边带事例检查 | 第81页 |
·系统误差 | 第81-93页 |
·寻迹效率误差 | 第82页 |
·粒子鉴别误差 | 第82-84页 |
·π~0重建效率误差 | 第84页 |
·信号MC产生子误差 | 第84-85页 |
·MC样本统计量误差 | 第85页 |
·ω(φ)衰变分支比误差 | 第85页 |
·ω(φ)质量窗口约束误差 | 第85-87页 |
·K_S~0剪除误差 | 第87-90页 |
·FSR修正误差 | 第90页 |
·额外光子剪除误差 | 第90页 |
·信号区间误差 | 第90页 |
·信号形状误差 | 第90-92页 |
·本底模型构造误差 | 第92页 |
·分支比测量系统误差总结 | 第92-93页 |
·半轻衰变D~+→ωe~+v_e形状因子 | 第93-106页 |
·微分衰变宽度公式化 | 第95-97页 |
·拟合方法 | 第97-99页 |
·拟合结果 | 第99页 |
·拟合稳定性检验 | 第99-101页 |
·形状因子测量的系统误差 | 第101-106页 |
·本章小结 | 第106-107页 |
第四章 寻找稀有衰变J/ψ→D_s~((*)-)e~+v_e | 第107-119页 |
·物理动机 | 第107-108页 |
·分析环境 | 第108页 |
·事例选择 | 第108-111页 |
·测量结果 | 第111-113页 |
·系统误差 | 第113-116页 |
·信号修正效率系统误差 | 第113-114页 |
·通用系统误差 | 第114-116页 |
·分支比上限计算 | 第116页 |
·本章小结 | 第116-119页 |
第五章 总结和展望 | 第119-121页 |
参考文献 | 第121-129页 |
简历与科研成果 | 第129-131页 |
致谢 | 第131-133页 |