| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-31页 |
| ·原子钟概述 | 第11-17页 |
| ·芯片级原子钟概述 | 第17-21页 |
| ·国内外芯片级原子钟的发展状况 | 第21-29页 |
| ·本文研究意义和内容 | 第29-31页 |
| 第二章 4.6GHz薄膜体声波谐振器的相关研究 | 第31-65页 |
| ·芯片级原子钟射频模块构建方式比较 | 第31-32页 |
| ·薄膜体声波谐振器介绍 | 第32-34页 |
| ·薄膜体声波谐振器的理论 | 第34-49页 |
| ·晶体的物理特性 | 第34-41页 |
| ·薄膜体声波谐振器的一维模型分析 | 第41-49页 |
| ·薄膜体声波谐振器器件的品质因数优化 | 第49-55页 |
| ·氮化铝薄膜制备工艺参数优化 | 第55-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第三章 MEMS铯蒸汽泡的研制 | 第65-91页 |
| ·MEMS微加工工艺简介 | 第65-66页 |
| ·国内外制备MEMS碱金属蒸汽泡的方法 | 第66-79页 |
| ·在MEMS碱金属蒸汽泡中影响芯片级原子钟性能的因素 | 第79-81页 |
| ·MEMS铯蒸汽泡制备 | 第81-84页 |
| ·MEMS铯蒸汽泡测试 | 第84-88页 |
| ·两种制备MEMS铯蒸汽泡的专利 | 第88-89页 |
| ·本章小结 | 第89-91页 |
| 第四章 铟锡氧化物加热结构的研制 | 第91-107页 |
| ·国内外物理封装加热结构概述 | 第91-92页 |
| ·铟锡氧化物介绍 | 第92-94页 |
| ·铟锡氧化物制备参数优化 | 第94-98页 |
| ·芯片级铯原子钟物理封装加热结构制备 | 第98-105页 |
| ·本章小结 | 第105-107页 |
| 第五章 芯片级铯原子钟物理封装的整体构建 | 第107-126页 |
| ·芯片级原子钟的物理封装概述 | 第107-109页 |
| ·芯片级铯原子钟物理封装构建及测试 | 第109-125页 |
| ·本章小结 | 第125-126页 |
| 第六章 总结与展望 | 第126-128页 |
| 参考文献 | 第128-144页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表论著、论文 | 第144-146页 |
| 致谢 | 第146-147页 |