40nm标准单元库的移植与加固设计
| 摘要 | 第1-11页 |
| ABSTRACT | 第11-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-17页 |
| ·课题研究背景 | 第12-13页 |
| ·国内外相关研究 | 第13-15页 |
| ·标准单元库研究现状 | 第13-14页 |
| ·抗辐照加固研究现状 | 第14-15页 |
| ·课题研究内容 | 第15页 |
| ·论文组织结构 | 第15-17页 |
| 第二章 标准单元库的移植与优化 | 第17-30页 |
| ·标准单元库的总体规划 | 第17-18页 |
| ·标准单元库的基本信息 | 第17页 |
| ·标准单元库的设计环境 | 第17-18页 |
| ·标准单元库的组成 | 第18-20页 |
| ·标准单元库的类型 | 第18-20页 |
| ·单元驱动能力的选择 | 第20页 |
| ·标准单元库的移植 | 第20-25页 |
| ·SKILL语言简介 | 第21页 |
| ·标准单元库的电路移植 | 第21-22页 |
| ·标准单元库的版图移植 | 第22-25页 |
| ·标准单元库的优化 | 第25-29页 |
| ·标准单元库的电路优化 | 第25-26页 |
| ·标准单元库的版图优化 | 第26-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 标准单元库的加固设计 | 第30-47页 |
| ·空间辐照效应 | 第30-32页 |
| ·空间辐照环境简介 | 第30页 |
| ·单粒子效应的机理 | 第30-31页 |
| ·单粒子效应的分类 | 第31-32页 |
| ·标准单元的抗SEU加固 | 第32-36页 |
| ·抗SEU的电路加固 | 第32-35页 |
| ·抗SEU的版图加固 | 第35-36页 |
| ·标准单元的抗SET加固 | 第36-39页 |
| ·抗SET的电路加固 | 第36-38页 |
| ·抗SET的版图加固 | 第38-39页 |
| ·标准单元的抗SEL加固 | 第39-46页 |
| ·抗SEL的版图加固 | 第39-41页 |
| ·抗SEL的DRC规则 | 第41-44页 |
| ·抗SEL的衬底/阱接触PCELL | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 标准单元库的评估 | 第47-67页 |
| ·标准单元库的评估指标 | 第47页 |
| ·评估指标的数学建模 | 第47-54页 |
| ·延迟模型 | 第47-48页 |
| ·建立/保持时间模型 | 第48-49页 |
| ·功耗模型 | 第49-52页 |
| ·面积模型 | 第52页 |
| ·SEU模型 | 第52页 |
| ·SET模型 | 第52-53页 |
| ·SEL模型 | 第53-54页 |
| ·评估指标的仿真方法 | 第54-60页 |
| ·延迟的仿真方法 | 第54-55页 |
| ·建立/保持时间的仿真方法 | 第55-57页 |
| ·功耗的仿真方法 | 第57页 |
| ·面积的仿真方法 | 第57-58页 |
| ·SEU的仿真方法 | 第58-59页 |
| ·SET的仿真方法 | 第59页 |
| ·SEL的仿真方法 | 第59-60页 |
| ·评估结果 | 第60-65页 |
| ·延迟的仿真结果 | 第60-61页 |
| ·建立/保持时间的仿真结果 | 第61-62页 |
| ·功耗的仿真结果 | 第62-63页 |
| ·面积的仿真结果 | 第63-64页 |
| ·SEU的仿真结果 | 第64页 |
| ·SET的仿真结果 | 第64-65页 |
| ·SEL的仿真结果 | 第65页 |
| ·基于折中的结果分析 | 第65-66页 |
| ·折中原则 | 第65-66页 |
| ·标准单元库的总体分析 | 第66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 总结与展望 | 第67-69页 |
| ·本文工作总结 | 第67-68页 |
| ·未来工作展望 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第73页 |
