| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-18页 |
| ·声光材料 | 第8-9页 |
| ·Hg_2I_2声光晶体 | 第9-11页 |
| ·综晶化合物单晶体的生长研究进展 | 第11-15页 |
| ·Hg_2X_2单晶体生长研究进展 | 第11-12页 |
| ·综晶化合物单晶体生长研究 | 第12页 |
| ·综晶化合物单晶体的熔体法生长理论研究 | 第12-15页 |
| ·Hg_2I_2单晶体生长遇到的困难 | 第15-16页 |
| ·本论文选题意义及研究内容 | 第16-18页 |
| ·选题意义 | 第16页 |
| ·研究内容 | 第16页 |
| ·研究的技术路线 | 第16-18页 |
| 2 Hg_2I_2的合成 | 第18-23页 |
| ·合成坩埚的清洗 | 第18页 |
| ·合成炉的选择 | 第18-19页 |
| ·原料配制 | 第19-21页 |
| ·原料合成 | 第21-23页 |
| ·移动原料 | 第21页 |
| ·逐区加热气相输运法合成原料 | 第21-22页 |
| ·液相合成 | 第22-23页 |
| 3 Hg_2I_2熔体的冷凝过程观察与分析 | 第23-31页 |
| ·实验观察 | 第23-29页 |
| ·静置后的熔体分层现象 | 第25页 |
| ·空气中的冷凝现象 | 第25-28页 |
| ·随炉冷却的冷凝现象 | 第28页 |
| ·综晶反应温度以下的等温静置 | 第28-29页 |
| ·Hg_2I_2冷凝过程分析 | 第29-31页 |
| ·相图分析 | 第29页 |
| ·压力变化分析 | 第29页 |
| ·冷凝方法的影响 | 第29-31页 |
| 4 合成Hg_2I_2多晶的新方法与单晶体生长方案设计 | 第31-34页 |
| ·合成Hg_2I_2多晶体的新方法——熔体静置-快冷-静置法 | 第31-32页 |
| ·熔体静置-快冷-静置法 | 第31-32页 |
| ·Hg_2I_2多晶原料的化学配比控制 | 第32页 |
| ·单晶体生长原理分析与生长方案设计 | 第32-34页 |
| ·Hg_2I_2单晶体的熔体法生长原理分析 | 第32页 |
| ·Hg_2I_2单晶体的熔体法生长方案设计 | 第32页 |
| ·Hg_2I_2单晶体的化学配比控制 | 第32-34页 |
| 5 预制锭的制备 | 第34-37页 |
| ·气相法制备预制晶锭 | 第34-35页 |
| ·熔体急冷法制备预制晶锭 | 第35-36页 |
| ·固相隔离法制备预制晶锭 | 第36-37页 |
| 6 Hg_2I_2单晶体的熔体法生长原理实验——垂直区域熔炼实验 | 第37-45页 |
| ·垂直区域熔炼装置 | 第37页 |
| ·垂直区域熔炼工艺 | 第37-38页 |
| ·垂直区域熔炼结果 | 第38-41页 |
| ·垂直区域熔炼法的改进 | 第41-42页 |
| ·垂直区域熔炼结果分析 | 第42-45页 |
| ·垂直区域熔炼试验表征 | 第42-43页 |
| ·垂直区域熔炼总结及分析 | 第43-45页 |
| 7 重熔实验 | 第45-46页 |
| ·整体重熔实验 | 第45页 |
| ·区域重熔实验 | 第45-46页 |
| 8 结论 | 第46-47页 |
| 9 工作展望 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52页 |
