| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 引言 | 第8-12页 |
| 一、传统存储技术 | 第12-22页 |
| ·磁存储技术 | 第12-14页 |
| ·磁带 | 第12-13页 |
| ·磁盘 | 第13-14页 |
| ·半导体存储技术 | 第14-17页 |
| ·RAM | 第15页 |
| ·ROM | 第15-16页 |
| ·PROM | 第16页 |
| ·EPROM | 第16页 |
| ·EEPROM | 第16页 |
| ·FLASH | 第16-17页 |
| ·闪存卡 | 第17页 |
| ·传统光盘存储技术 | 第17-20页 |
| ·磁光(MO)存储技术 | 第20-22页 |
| 二、三维体全息存储 | 第22-31页 |
| ·体全息存储 | 第22-23页 |
| ·光谱烧孔存储 | 第23-24页 |
| ·双光子吸收三维存储 | 第24-26页 |
| ·光致变色材料光存储 | 第25页 |
| ·光致漂白材料光存储 | 第25页 |
| ·光致聚合材料光存储 | 第25页 |
| ·光致折变材料光存储 | 第25-26页 |
| ·双光子激发光致氧化材料光存储 | 第26页 |
| ·散斑复用光存储 | 第26-28页 |
| ·静态散斑复用技术 | 第26-27页 |
| ·动态散斑复用技术 | 第27-28页 |
| ·波导多层光存储 | 第28-29页 |
| ·荧光多层光存储 | 第29-31页 |
| 三、近场光学存储 | 第31-35页 |
| ·固体浸没透镜(solid immersion lens,SIL)近场存储 | 第31-32页 |
| ·超分辨率近场结构(Super-RENS)存储 | 第32-33页 |
| ·孔径型(Transimtted-Aperture type)超分辨率近场结构 | 第32-33页 |
| ·散射型(Scattered type)超分辨率近场结构 | 第33页 |
| ·探针型(probe scanning microscopy,PSM)近场光存储 | 第33-35页 |
| 四、光子双稳态多波长多级存储 | 第35-48页 |
| ·光学双稳态 | 第35-37页 |
| ·多阶光存储 | 第37-40页 |
| ·信号多阶光存储 | 第37-39页 |
| ·坑深调制 | 第37页 |
| ·坑边沿调制 | 第37-38页 |
| ·坑形调制 | 第38-39页 |
| ·记录符大小调制 | 第39页 |
| ·介质多阶光存储 | 第39-40页 |
| ·电子俘获多阶光存储 | 第39页 |
| ·部分结晶多阶技术 | 第39页 |
| ·光致变色多阶技术 | 第39-40页 |
| ·多波长光存储 | 第40-41页 |
| ·光波混频的相位共轭光存储 | 第41-44页 |
| ·三波混频 | 第42-43页 |
| ·四波混频 | 第43-44页 |
| ·光折变存储 | 第44-45页 |
| ·光致变色光存储 | 第45-46页 |
| ·电子俘获光存储 | 第46-48页 |
| 五、总结与展望 | 第48-57页 |
| 参考文献 | 第57-58页 |
