| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ化合物半导体概述 | 第11-12页 |
| ·GaAs的主要性质及其应用 | 第12-14页 |
| ·GaAs的晶体结构 | 第12页 |
| ·GaAs的基本性质与应用 | 第12-13页 |
| ·GaAs的制备方法 | 第13-14页 |
| ·国内外研究现状 | 第14-15页 |
| ·计算软件包简介 | 第15-16页 |
| ·论文内容安排 | 第16-17页 |
| 第二章 计算方法与理论基础 | 第17-22页 |
| ·第一性原理 | 第17页 |
| ·密度泛函理论简述 | 第17-22页 |
| ·DFT理论建立初期 | 第18页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第18-19页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第19-20页 |
| ·交换关联能 | 第20-22页 |
| 第三章 本征GaAs的电子能带结构和晶格振动特性的研究 | 第22-34页 |
| ·模型建立与计算方法 | 第22-23页 |
| ·理论模型 | 第22页 |
| ·计算方法 | 第22-23页 |
| ·计算结果与讨论 | 第23-33页 |
| ·结构特性 | 第23页 |
| ·电子能带结构与态密度分析 | 第23-25页 |
| ·光学性质 | 第25-27页 |
| ·晶格动力学性质 | 第27-30页 |
| ·热力学性质 | 第30-33页 |
| ·结论 | 第33-34页 |
| 第四章 三元混晶Al_xGa_(1-x)As的晶格参数和光电性质的研究 | 第34-46页 |
| ·理论模型和方法 | 第34-35页 |
| ·计算结果与分析 | 第35-45页 |
| ·Al掺杂GaAs体系对晶格参数的影响研究 | 第35-36页 |
| ·Al_xGa_(1-x)As混晶体系的电子能带结构 | 第36-42页 |
| ·三元混晶Al_xGa_(1-x)As体系的态密度和光学性质 | 第42-45页 |
| ·结论 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 作者攻读硕士学位期间发表和完成的学术论文 | 第52页 |
