| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-32页 |
| ·研究背景 | 第9-12页 |
| ·多铁性的产生 | 第12-14页 |
| ·多铁性材料的分类 | 第14-23页 |
| ·单相多铁性材料 | 第14-20页 |
| ·复合多铁性材料 | 第20-23页 |
| ·多铁性材料微结构的研究 | 第23-30页 |
| ·电子显微学研究 | 第23-29页 |
| ·其他结构表征方法 | 第29-30页 |
| ·本文的选题思路和主要内容 | 第30-32页 |
| 第2章 实验方法 | 第32-43页 |
| ·形貌像和电子衍射 | 第32-33页 |
| ·高分辨透射电子显微术 | 第33-35页 |
| ·球差校正高分辨电子显微术 | 第35-38页 |
| ·扫描透射电子显微术 | 第38-39页 |
| ·电子能量损失谱 | 第39-41页 |
| ·TEM 样品制备 | 第41-43页 |
| 第3章 多铁性六方锰氧化物拓扑涡旋畴结构的原子尺度研究 | 第43-65页 |
| ·本章引言 | 第43-46页 |
| ·实验与理论计算方法 | 第46-47页 |
| ·实验方法 | 第46页 |
| ·理论计算方法 | 第46-47页 |
| ·结果与讨论 | 第47-64页 |
| ·YMnO_3的原子结构 | 第47-50页 |
| ·涡旋畴结构的原子细节 | 第50-54页 |
| ·多畴区域的局域铁电偶极矩分布研究 | 第54-59页 |
| ·两类互锁畴壁的原子构型 | 第59-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第4章 多铁性六方、正交结构锰氧化物外延薄膜的微结构研究 | 第65-79页 |
| ·六方 HoMnO_3外延薄膜的微结构研究 | 第65-70页 |
| ·薄膜基本结构表征 | 第66-67页 |
| ·薄膜中的缺陷 | 第67-69页 |
| ·电子束辐照对薄膜电子结构的影响 | 第69-70页 |
| ·外延稳定正交 TmMnO_3薄膜的微结构与应变松弛的研究 | 第70-77页 |
| ·薄膜基本结构表征 | 第71-73页 |
| ·界面失配位错研究 | 第73-76页 |
| ·应变松弛机制 | 第76-77页 |
| ·本章小结 | 第77-79页 |
| 第5章 La、Ti 共掺杂 BiFeO_3外延薄膜的微结构研究 | 第79-86页 |
| ·本章引言 | 第79-80页 |
| ·实验方法 | 第80-81页 |
| ·结果与讨论 | 第81-85页 |
| ·薄膜基本结构表征 | 第81-82页 |
| ·La 与 Ti 的掺杂 | 第82-83页 |
| ·薄膜的电学性能 | 第83-84页 |
| ·微结构与漏电流的关系 | 第84-85页 |
| ·本章小结 | 第85-86页 |
| 第6章 PMN-PT 基复合多铁性材料的微结构研究 | 第86-103页 |
| ·本章引言 | 第86-87页 |
| ·PMN-PT 基底上外延 YBa_2Cu_3O_(7-δ)薄膜的微结构研究 | 第87-93页 |
| ·薄膜基本结构表征 | 第87-89页 |
| ·薄膜中的缺陷与畴结构 | 第89-93页 |
| ·PMN-PT 基底上外延 Pr_(0.6)Ca_(0.4)MnO_3薄膜的微结构研究 | 第93-101页 |
| ·薄膜基本结构表征 | 第95-96页 |
| ·薄膜的界面缺陷与畴结构 | 第96-100页 |
| ·薄膜微结构随膜厚的变化 | 第100-101页 |
| ·本章小结 | 第101-103页 |
| 第7章 结论与展望 | 第103-106页 |
| ·结论 | 第103-104页 |
| ·展望 | 第104-106页 |
| 参考文献 | 第106-121页 |
| 致谢 | 第121-123页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第123页 |
