| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-17页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·低维氮化硼纳米材料 | 第8-9页 |
| ·氮化硼纳米管 | 第8页 |
| ·氮化硼纳米片 | 第8-9页 |
| ·低维氮化硼纳米材料中的缺陷 | 第9-13页 |
| ·零维点缺陷 | 第9-11页 |
| ·一维线缺陷：晶界 | 第11-13页 |
| ·低维氮化硼纳米材料的功能调制 | 第13-16页 |
| ·氮化硼纳米带 | 第13-14页 |
| ·吸附、表面修饰 | 第14-16页 |
| ·论文内容安排 | 第16-17页 |
| 第2章 密度泛函理论 | 第17-23页 |
| ·理论背景 | 第17-18页 |
| ·多体问题 | 第17页 |
| ·绝热近似 | 第17-18页 |
| ·单电子近似 | 第18页 |
| ·密度泛函理论 | 第18-21页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第19-20页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第20-21页 |
| ·交换关联泛函 | 第21-22页 |
| ·局域密度近似 | 第21页 |
| ·广义梯度近似 | 第21页 |
| ·杂化泛函 | 第21-22页 |
| ·自洽场方法 | 第22-23页 |
| 第3章 基于密度泛函的非平衡电子输运方法 | 第23-30页 |
| ·非平衡格林函数方法 | 第23-29页 |
| ·两电极体系 | 第23-24页 |
| ·自能和表面格林函数 | 第24-25页 |
| ·密度矩阵 | 第25-26页 |
| ·有效偏压的效果 | 第26-28页 |
| ·分析输运性质 | 第28-29页 |
| ·自洽算法 | 第29-30页 |
| 第4章 多孔氮化硼纳米管中的反位偏聚的形成机制和性质 | 第30-39页 |
| ·本章引言 | 第30页 |
| ·计算方法和模型 | 第30-31页 |
| ·氮化硼纳米管中不同缺陷的形成能 | 第31-33页 |
| ·氮化硼管中点缺陷的电子结构性质 | 第33-34页 |
| ·氮化硼管反位偏聚的形成机制 | 第34-37页 |
| ·氮化硼管反位偏聚的电子结构性质 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第5章 氮化硼晶界的功能调制和输运性质的研究 | 第39-53页 |
| ·本章引言 | 第39页 |
| ·计算方法和模型 | 第39-40页 |
| ·吸附H原子调制氮化硼晶界的电子结构 | 第40-47页 |
| ·氮化硼晶界的几何构型 | 第40-41页 |
| ·氮化硼晶界吸附H原子 | 第41-43页 |
| ·吸附引入的氮化硼晶界绝缘性-金属性转变和磁性 | 第43-47页 |
| ·氮化硼晶界吸附H原子的输运性质 | 第47-52页 |
| ·负微分电阻现象 | 第47-49页 |
| ·物理机制 | 第49-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第6章 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第63页 |