| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-16页 |
| 第二章 透明导电氧化物薄膜及其陶瓷靶材 | 第16-26页 |
| 第一节 透明导电氧化物薄膜的概述 | 第16-18页 |
| 第二节 透明导电氧化物陶瓷靶材的制备工艺研究 | 第18-22页 |
| ·常压烧结 | 第18-19页 |
| ·热压烧结 | 第19-20页 |
| ·等静压成型烧结 | 第20-21页 |
| ·爆炸压实成型烧结 | 第21-22页 |
| 第三节 透明导电氧化物陶瓷靶材的性能要求 | 第22-25页 |
| ·大尺寸 | 第22-23页 |
| ·高纯度 | 第23页 |
| ·高密度 | 第23-24页 |
| ·高利用率 | 第24-25页 |
| 第四节 本章小节 | 第25-26页 |
| 第三章 ITO 靶材用纳米粉体的制备及工艺优化 | 第26-62页 |
| 第一节 ITO 材料的基本性质 | 第26-27页 |
| 第二节 制备 ITO 纳米粉体的理论研究 | 第27-33页 |
| ·溶胶-凝胶合成法 | 第28-29页 |
| ·水热合成法 | 第29-30页 |
| ·化学沉淀合成法 | 第30-31页 |
| ·微乳液合成法 | 第31-32页 |
| ·其他液相合成法 | 第32页 |
| ·小结 | 第32-33页 |
| 第三节 样品材料的表征方法 | 第33-38页 |
| ·X 射线衍射（X-Ray Diffraction，XRD） | 第33-35页 |
| ·透射电子显微镜（Transmission Electron Microscope, TEM） | 第35-36页 |
| ·扫描电子显微镜（Scanning Electron Microscope, SEM） | 第36-38页 |
| 第四节 水热法批量制备 SnO2纳米粉体及工艺优化 | 第38-55页 |
| ·水热反应设备 | 第38-39页 |
| ·水热法批量制备 SnO2纳米粉体 | 第39-41页 |
| ·工艺参数对制备 SnO2纳米粉体的影响 | 第41-52页 |
| ·反应溶液浓度的影响 | 第41-43页 |
| ·前驱体溶液 pH 值的影响 | 第43-45页 |
| ·水热反应温度的影响 | 第45-47页 |
| ·同等压力条件下，水热反应温度的影响 | 第47-49页 |
| ·水热反应时间的影响 | 第49-50页 |
| ·批量制备的工艺条件对颗粒形状的影响 | 第50-52页 |
| ·小结 | 第52页 |
| ·采用优化工艺制备的 SnO2纳米粉体 | 第52-55页 |
| 第五节 水热法制备 In2O3纳米粉体及表征 | 第55-60页 |
| ·水热法制备 In2O3纳米粉体 | 第55页 |
| ·In2O3纳米粉体的表征 | 第55-60页 |
| 第六节 本章小结 | 第60-62页 |
| 第四章 AZO 靶材用 ZnO 纳米粉体的制备及工艺优化 | 第62-82页 |
| 第一节 AZO 材料的基本性质及发展 | 第62-65页 |
| ·ZnO 的结构和性能 | 第62-65页 |
| ·AZO 材料的发展 | 第65页 |
| 第二节 制备 ZnO 纳米粉体的理论研究 | 第65-71页 |
| ·ZnO 纳米粉体的制备方法 | 第66-68页 |
| ·国内外 ZnO 纳米粉体制备的研究进展 | 第68-71页 |
| 第三节 ZnO 纳米粉体的制备及工艺优化 | 第71-80页 |
| ·ZnO 粉体的制备 | 第71-72页 |
| ·采用不同锌盐为原料的影响 | 第72-75页 |
| ·反应溶液浓度的影响 | 第75-78页 |
| ·溶剂中加入乙醇的影响 | 第78-79页 |
| ·煅烧温度的影响 | 第79-80页 |
| 第四节 本章小结 | 第80-82页 |
| 第五章 SSMBE 生长 III-V 族半导体合金薄膜的研究 | 第82-96页 |
| 第一节 分子束外延技术概述 | 第82-87页 |
| ·MBE 设备系统原理 | 第82-84页 |
| ·MBE 生长过程及原理 | 第84-87页 |
| 第二节 III-V 族三元半导体合金的热力学理论分析 | 第87-91页 |
| 第三节 实验结果的验证 | 第91-94页 |
| 第四节 本章小结 | 第94-96页 |
| 第六章 总结与展望 | 第96-100页 |
| 第一节 总结 | 第96-98页 |
| 第二节 展望 | 第98-100页 |
| 参考文献 | 第100-110页 |
| 致谢 | 第110-111页 |
| 个人简历 | 第111页 |
| 攻读博士期间发表论文情况 | 第111-112页 |
