| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 目录 | 第8-12页 |
| 第一章 前言 | 第12-39页 |
| ·高电压输变线路的污闪现象 | 第12-18页 |
| ·线路绝缘子概述 | 第12页 |
| ·污秽闪络及危害 | 第12-15页 |
| ·污秽闪络 | 第12-14页 |
| ·污闪的危害 | 第14页 |
| ·污闪过程的机理及要素 | 第14-15页 |
| ·目前绝缘子防污闪的措施及其局限性 | 第15-18页 |
| ·改进绝缘子设计 | 第16页 |
| ·涂憎水防尘涂料 | 第16页 |
| ·采用复合绝缘子 | 第16-17页 |
| ·采用半导体釉绝缘子 | 第17页 |
| ·定期清扫 | 第17页 |
| ·存在的问题 | 第17-18页 |
| ·纳米半导体光催化技术 | 第18-24页 |
| ·光催化概述 | 第18-19页 |
| ·环境光催化 | 第19-22页 |
| ·光催化环境污染治理技术 | 第19-20页 |
| ·光催化膜功能材料的开发及应用 | 第20-22页 |
| ·半导体光催化作用的基本原理 | 第22-24页 |
| ·TiO_2的结构及基本性能 | 第24页 |
| ·TiO_2光催化作用机制 | 第24-31页 |
| ·气 固、液 固相反应体系中的光催化作用机制 | 第24-25页 |
| ·TiO_2薄膜的光致亲水作用机制 | 第25-28页 |
| ·接触角与亲水性 | 第25-26页 |
| ·光致亲水机理 | 第26-28页 |
| ·影响 TiO_2薄膜光催化活性和亲水性的主要因素 | 第28-31页 |
| ·内在因素 | 第28-30页 |
| ·外界条件 | 第30-31页 |
| ·TiO_2光催化剂的改性 | 第31-33页 |
| ·半导体复合 | 第31页 |
| ·离子掺杂 | 第31-32页 |
| ·表面修饰 | 第32-33页 |
| ·TiO_2光催化薄膜材料的制备 | 第33-34页 |
| ·纳米 TiO_2光催化剂的常用载体 | 第33页 |
| ·纳米 TiO_2薄膜的制备方法 | 第33-34页 |
| ·立题依据 | 第34-37页 |
| ·研究目的、内容和实验方案 | 第37-39页 |
| ·研究目的 | 第37页 |
| ·研究内容及实验方案 | 第37-39页 |
| 第二章 实验部分 | 第39-47页 |
| ·主要实验药品及仪器 | 第39-41页 |
| ·主要实验药品 | 第39-40页 |
| ·主要实验仪器 | 第40-41页 |
| ·实验内容 | 第41-47页 |
| ·催化剂的制备 | 第41页 |
| ·实验样品的制备 | 第41-42页 |
| ·光自洁陶瓷绝缘子的制备 | 第41-42页 |
| ·镀膜釉面陶瓷片样品的制备 | 第42页 |
| ·载玻片上 TiO_2薄膜的制备 | 第42页 |
| ·样品的物性表征 | 第42-44页 |
| ·晶相结构 | 第42-43页 |
| ·紫外－可见漫发射和吸收光谱 | 第43页 |
| ·扫描电镜 | 第43页 |
| ·透射电镜 | 第43页 |
| ·X 射线光电子能谱 | 第43页 |
| ·傅立叶红外光谱 | 第43页 |
| ·电子自旋共振谱 | 第43-44页 |
| ·光催化性能评价 | 第44-46页 |
| ·光催化反应装置 | 第44-45页 |
| ·光催化性能评价实验 | 第45-46页 |
| ·绝缘子表面污秽程度的评价 | 第46页 |
| ·绝缘子电气性能的评价装置 | 第46-47页 |
| 第三章 TiO_2光自洁绝缘子的自清洁性能及电气性能研究 | 第47-70页 |
| ·引言 | 第47-48页 |
| ·光自洁陶瓷绝缘子的制备和理化特性研究 | 第48-54页 |
| ·光自洁陶瓷绝缘子的制备 | 第48-49页 |
| ·TiO_2薄膜的理化特性 | 第49-54页 |
| ·薄膜表征 | 第49-50页 |
| ·耐磨性能测试 | 第50页 |
| ·介电损耗测试 | 第50-51页 |
| ·陶瓷釉面 TiO_2薄膜的光催化性能 | 第51-53页 |
| ·陶瓷釉面 TiO_2薄膜的光致亲水性 | 第53-54页 |
| ·光自洁陶瓷绝缘子的自洁特性研究 | 第54-61页 |
| ·人工强化模拟积污试验 | 第56-58页 |
| ·自然积污试验 | 第58-61页 |
| ·变电站挂网积污试验 | 第58-60页 |
| ·运行线路挂网积污试验 | 第60-61页 |
| ·光自洁绝缘子的电气性能研究 | 第61-69页 |
| ·绝缘子的电气性能 | 第61-62页 |
| ·绝缘子的闪络特性 | 第62-63页 |
| ·闪络距离 | 第62页 |
| ·闪络路径 | 第62-63页 |
| ·绝缘子电气性能对比研究试验 | 第63-69页 |
| ·雷电冲击干闪络电压试验 | 第63-64页 |
| ·工频湿闪络电压试验 | 第64-66页 |
| ·人工污秽闪络电压试验 | 第66-67页 |
| ·耐受电压试验 | 第67-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第四章 亲水性 TiO_2半导体膜对绝缘子电气性能的影响机理 | 第70-90页 |
| ·引言 | 第70-71页 |
| ·TiO_2薄膜亲水性对绝缘子湿闪络性能的影响 | 第71-74页 |
| ·TiO_2薄膜的表面高亲水性的影响 | 第71-72页 |
| ·电压作用下 TiO_2薄膜焦耳热作用的影响 | 第72-74页 |
| ·TiO_2薄膜的半导电性对绝缘子电气性能的影响 | 第74-79页 |
| ·TiO_2薄膜对绝缘子串电压分布的影响分析 | 第74-76页 |
| ·绝缘子串上电压分布 | 第74-75页 |
| ·电压分布的测量 | 第75-76页 |
| ·电压分布均匀性对电气性能的影响 | 第76页 |
| ·绝缘子电场分布的影响分析 | 第76-77页 |
| ·TiO_2薄膜对绝缘子电晕放电的影响 | 第77-79页 |
| ·有限元仿真计算法分析绝缘子电场分布 | 第79-84页 |
| ·有限元方法概述 | 第79-80页 |
| ·单片绝缘子的电场分布计算与分析 | 第80-84页 |
| ·单片绝缘子的计算模型 | 第80页 |
| ·单片绝缘子的有限元计算结果 | 第80-82页 |
| ·TiO_2膜对表面水珠电场分布的影响 | 第82-84页 |
| ·绝缘子油中工频击穿电压试验 | 第84-88页 |
| ·TiO_2薄膜与击穿点的外移 | 第84-87页 |
| ·油中绝缘子电场分布仿真 | 第87-88页 |
| ·光自洁绝缘子的防污闪机制分析 | 第88页 |
| ·本章小结 | 第88-90页 |
| 第五章 缺陷的引入及其位置对 TiO_2薄膜光催化性能的影响研究 | 第90-123页 |
| ·引言 | 第90-91页 |
| ·低温等离子体表面处理技术 | 第91-94页 |
| ·带缺陷 TiO_2薄膜样品的制备与表征 | 第94-98页 |
| ·带缺陷 TiO_2薄膜样品的制备 | 第94-95页 |
| ·TiO_2薄膜样品的表征 | 第95-98页 |
| ·SEM 观察 | 第95页 |
| ·HR TEM 观察 | 第95页 |
| ·XPS 分析 | 第95-97页 |
| ·薄膜的 UV Vis 吸收光谱 | 第97-98页 |
| ·缺陷的存在及位置对 TiO_2薄膜光催化活性的影响 | 第98-116页 |
| ·溶液中罗丹明 B 的定量测试 | 第98-99页 |
| ·罗丹明 B 染料矿化率的测定方法 | 第99页 |
| ·TiO_2薄膜样品光催化活性的评价 | 第99-104页 |
| ·RhB 降解过程中的主要反应活性物种 | 第104-106页 |
| ·EPR 法测定 OH | 第106-109页 |
| ·缺陷捕获光生电子 | 第109-111页 |
| ·降解 RhB 的机理模型 | 第111-113页 |
| ·不同气氛下薄膜对 RhB 的降解情况 | 第113-115页 |
| ·缺陷的位置对其稳定性的影响 | 第115-116页 |
| ·缺陷对 TiO_2薄膜亲水性能的影响及机理研究 | 第116-122页 |
| ·缺陷对 TiO_2双层薄膜光致亲水性的影响 | 第117-118页 |
| ·缺陷对 TiO_2薄膜光致亲水性的影响机理 | 第118-121页 |
| ·沸水处理对缺陷薄膜亲水性能的影响 | 第121-122页 |
| ·本章小结 | 第122-123页 |
| 结论 | 第123-125页 |
| 参考文献 | 第125-140页 |
| 致谢 | 第140-141页 |
| 个人简历 | 第141-142页 |
| 在读期间已发表（待发表）的论文 | 第142-143页 |
