| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| ·背景及意义 | 第10-11页 |
| ·国内外研究动态 | 第11-12页 |
| ·本文的主要内容及安排 | 第12-14页 |
| 第二章 虚拟衬底应力弛豫的研究及结果表征 | 第14-25页 |
| ·Si 与 SiGe 的晶格失配 | 第14页 |
| ·应变 SiGe 弛豫的机理 | 第14-19页 |
| ·Si 衬底上外延 SiGe 膜 | 第14-15页 |
| ·SiGe 膜内应力的弛豫 | 第15-19页 |
| ·超薄虚拟衬底材料的表征 | 第19-24页 |
| ·XRD | 第19-21页 |
| ·拉曼光谱 | 第21-23页 |
| ·SIMS | 第23页 |
| ·TEM | 第23页 |
| ·AFM | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 超薄 SiGe 虚拟衬底的制备 | 第25-43页 |
| ·虚拟衬底的外延技术 | 第25-27页 |
| ·MBE | 第25-26页 |
| ·CVD | 第26-27页 |
| ·前期制备 SiGe 虚拟衬底的方法 | 第27-33页 |
| ·渐变 Ge 组分法 | 第28-31页 |
| ·低温硅法 | 第31-33页 |
| ·超薄 SiGe 虚拟衬底的制备 | 第33-37页 |
| ·超薄 SiGe 虚拟衬底实现方案一 | 第33-34页 |
| ·超薄 SiGe 虚拟衬底实现方案二 | 第34-35页 |
| ·超薄 SiGe 虚拟衬底实现方案三 | 第35-37页 |
| ·超薄 SiGe 虚拟衬底的制备及结果测试分析 | 第37-42页 |
| ·超薄 SiGe 虚拟衬底的制备步骤 | 第38页 |
| ·超薄 SiGe 虚拟衬底结果的测试及分析 | 第38-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 基于超薄虚拟衬底上的应变 MOS 的研究 | 第43-58页 |
| ·载流子迁移率的增强机制 | 第43-44页 |
| ·传统 SiGe 虚拟衬底上的 MOS 器件 | 第44-47页 |
| ·虚拟衬底上的应变 Si MOS | 第44-45页 |
| ·SGOI 上的 MOS | 第45-47页 |
| ·基于超薄 SiGe 虚拟衬底上的源异质结 MOS 器件的设计 | 第47-50页 |
| ·源异质结 MOS 原理 | 第47-48页 |
| ·基于超薄 SiGe 虚拟衬底上的源异质结 MOS 结构设计 | 第48-49页 |
| ·仿真异质结源材料的选取 | 第49-50页 |
| ·TCAD 对器件结构的仿真 | 第50-52页 |
| ·对应变 Si 层应力的仿真 | 第50-51页 |
| ·对虚拟衬底上的源异质结 MOS 器件的仿真 | 第51-52页 |
| ·仿真结果的分析与讨论 | 第52-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 结论 | 第58-60页 |
| ·本文的主要工作 | 第58-59页 |
| ·下一步工作 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第65-66页 |