场发射扫描电子显微镜阴极制备工艺研究
| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| ·引言 | 第10-12页 |
| ·场发射扫描电子显微镜简介 | 第10页 |
| ·光学显微镜与扫描电子显微镜 | 第10-11页 |
| ·电子束与样品的相互作用 | 第11页 |
| ·二次电子图像 | 第11-12页 |
| ·电子枪 | 第12页 |
| ·场发射电子显微镜在国外的研究及发展 | 第12-15页 |
| ·场发射电子显微镜在国内的研究及发展 | 第15-16页 |
| ·本论文研究的内容介绍 | 第16-17页 |
| 第二章 场致电子发射原理及模型介绍 | 第17-23页 |
| ·场致电子发射简述 | 第17-18页 |
| ·场致发射阴极模型简述 | 第18-22页 |
| ·冷场发射理论模型 | 第18-20页 |
| ·热场发射理论模型 | 第20-22页 |
| ·小结 | 第22-23页 |
| 第三章 场致发射阴极钨针尖的制备 | 第23-34页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·电化学方法制备阴极针尖的原理 | 第23-25页 |
| ·直流法制备阴极针尖 | 第25页 |
| ·交流法制备阴极针尖 | 第25-31页 |
| ·腐蚀电压对针尖半径和针尖长度的影响 | 第26页 |
| ·腐蚀液浓度对针尖半径和针尖长度的影响 | 第26-27页 |
| ·浸入深度对针尖半径和针尖长度的影响 | 第27-28页 |
| ·电极间距对针尖半径和针尖长度的影响 | 第28-29页 |
| ·变压法对钨针尖半径的影响 | 第29-30页 |
| ·二次腐蚀法对钨针尖半径的影响 | 第30页 |
| ·最优工艺参数的确定 | 第30-31页 |
| ·W 阴极针尖的焊接和 ZrO 涂敷 | 第31-33页 |
| ·钨针尖与 V 形钨灯丝的焊接 | 第31-32页 |
| ·氧化锆的涂敷 | 第32-33页 |
| ·小结 | 第33-34页 |
| 第四章 Si 基场发射阴极的制备工艺研究 | 第34-49页 |
| ·Si 基阴极的制备工艺 | 第34-42页 |
| ·硅片的清洗 | 第35页 |
| ·热氧化法在清洁衬底硅上生长SiO_2层 | 第35-37页 |
| ·图形制备技术---光刻 | 第37-40页 |
| ·Si 基的刻蚀 | 第40-42页 |
| ·Si 锥尖形阴极的制备 | 第42-48页 |
| ·掩模版制作 | 第42-43页 |
| ·Si 表面的氧化 | 第43页 |
| ·曝光、显影 | 第43-44页 |
| ·SiO_2掩膜的刻蚀 | 第44-45页 |
| ·Si 基的腐蚀实验结果 | 第45-47页 |
| ·实验结果的简单理论分析 | 第47-48页 |
| ·小结 | 第48-49页 |
| 第五章 总结与展望 | 第49-50页 |
| ·总结 | 第49页 |
| ·对场发射阴极研究的展望 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-52页 |
