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AlGaInP LED转移衬底和可靠性的研究

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-10页
第1章 绪论第10-36页
   ·半导体照明的背景第10-13页
     ·引言第10-11页
     ·半导体照明国际形势第11-12页
     ·半导体照明国内形势第12-13页
   ·照明光源的发展简史第13-17页
     ·照明技术的变迁第13-14页
     ·发光二极管的发展历史与现状第14-17页
   ·发光二极管的应用第17-25页
     ·发光二极管的白光实现方式第17-19页
     ·发光二极管的优点与应用第19-25页
   ·AlGaInP LED第25-35页
     ·AlGaInP LED 简介第25-26页
     ·AlGaInP LED 问题与解决方案第26-30页
     ·转移衬底AlGaInP LED 的研究进展第30-35页
   ·本论文的主要研究内容第35-36页
第2章 转移衬底的AlGaInP LED第36-52页
   ·LED 相关理论第36-42页
     ·LED 发光原理第36-38页
     ·LED 中载流子的复合第38-40页
     ·LED 器件特征参数第40-42页
   ·转移衬底的 LED 工艺介绍第42-45页
     ·转移衬底的薄膜LED 简介第42-43页
     ·转移衬底AlGaInP LED 工艺第43-45页
   ·转移衬底AlGaInP LED 光子的路径第45-47页
   ·AlGaInP LED 的电流扩展第47-51页
     ·电流扩展的理论计算第47-49页
     ·转移衬底AlGaInP LED 电流扩展第49页
     ·电极形状第49-51页
   ·本章小节第51-52页
第3章 转移衬底AlGaInP LED 晶片键合的研究第52-70页
   ·晶片键合简介第52-55页
     ·晶片键合方法第52-54页
     ·键合质量的检测第54-55页
   ·晶片表面形貌对键合的影响第55-59页
     ·晶片表面形貌与键合接触面积第55-56页
     ·晶片接触模型第56-59页
   ·转移衬底的LED 工艺中的键合第59-62页
     ·转移衬底的LED 工艺中的键合方式第59-60页
     ·Au-In,Ag-In 键合第60-61页
     ·Au-Au 键合第61-62页
   ·键合技术中主要影响因素研究第62-67页
     ·石墨片对键合结果的影响第63-64页
     ·键合出现的问题第64-66页
     ·冷却速率对键合的影响第66-67页
   ·AlGaInP LED 中温度对键合的影响第67-68页
   ·本章小结第68-70页
第4章 转移衬底AlGaInP LED 中关键工艺的研究第70-90页
   ·反射镜第70-81页
     ·反光镜的分类第70-72页
     ·AlGaInP LED 中不同反光镜的研究第72-78页
     ·ITO ODR LED 中不同ITO 厚度的研究第78-81页
   ·AlGaInP 外延层中光子的吸收第81-83页
   ·AlGaInP LED 中不同GaP 厚度的影响第83-85页
   ·转移衬底的AlGaInP LED 粗化第85-88页
     ·粗化增加光输出的原理第85-86页
     ·转移衬底的AlGaInP LED 粗化第86-88页
   ·本章小结第88-90页
第5章 AlGaInP LED 可靠性的研究第90-110页
   ·LED 可靠性第90-96页
     ·LED 可靠性简介第90-91页
     ·LED 参数与结温的关系第91-94页
     ·LED 寿命与可靠性第94-96页
   ·新型高亮度AlGaInP LED 的可靠性研究第96-102页
     ·AlGaInP LED 特性随电流变化研究第96-99页
     ·新型高亮度AlGaInP LED 电压升高现象研究第99-102页
   ·加速寿命试验第102-107页
     ·加速寿命试验的理论依据第103-104页
     ·新型高亮度AlGaInP LED 温度应力老化试验第104-105页
     ·新型高亮度AlGaInP LED 电流加速老化寿命试验第105-107页
   ·本章小结第107-110页
结论第110-112页
参考文献第112-122页
攻读博士学位期间所发表的学术论文第122-124页
致谢第124页

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