| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-36页 |
| ·族Ⅲ氮化物LED的材料性质及器件概述 | 第11-20页 |
| ·Ⅲ族氮化物材料的基本性质 | 第11-14页 |
| ·Ⅲ族氮化物LED基本原理 | 第14-16页 |
| ·Ⅲ族氮化物LED的所面临的挑战及最新进展 | 第16-20页 |
| ·表面等离激元的基本性质及耦合增强发光 | 第20-27页 |
| ·表面等离激元的基本性质 | 第21-24页 |
| ·表面等离激元耦合增强LED的原理 | 第24-25页 |
| ·表面等离激元耦合增强LED的最新进展 | 第25-27页 |
| ·表面纳米结构 | 第27-28页 |
| ·本文所作工作 | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-36页 |
| 第二章 自组织镍纳米模板的制备 | 第36-47页 |
| ·研究意义 | 第36页 |
| ·自组织镍模板的制备过程 | 第36-38页 |
| ·自组织镍模板变化规律的研究 | 第38-45页 |
| ·自组织镍模板随退火时间的变化规律 | 第38-40页 |
| ·自组织镍模板随镍薄膜厚度的变化规律 | 第40-42页 |
| ·自组织镍模板随退火温度的变化规律 | 第42-43页 |
| ·自组织镍模板随基底材料的变化规律 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-47页 |
| 第三章 干法刻蚀对InGaN基多量子阱内量子效率影响研究 | 第47-61页 |
| ·研究意义 | 第47页 |
| ·InGaN基多量子阱纳米柱的制备及测试方法 | 第47-53页 |
| ·InGaN基多量子阱纳米柱的制备过程 | 第47-49页 |
| ·InGaN基多量子阱纳米柱的测试方法 | 第49页 |
| ·干法刻蚀速率表征 | 第49-50页 |
| ·InGaN基多量子阱纳米柱的湿法清洗 | 第50-51页 |
| ·InGaN基多量子阱纳米柱的形貌表征及分析 | 第51-53页 |
| ·干法刻蚀对InGaN基多量子阱纳米柱内量子效率影响研究 | 第53-57页 |
| ·RF功率对InGaN基多量子阱内量子效率的影响 | 第53-54页 |
| ·ICP功率对InGaN基多量子阱内量子效率的影响 | 第54-56页 |
| ·纳米柱结构与平面结构InGaN基多量子阱量子效率的比较 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 第4章 表面多孔结构局域表面等离激元增强InGaN基发光二极管研究 | 第61-89页 |
| ·研究意义 | 第61-62页 |
| ·表面多孔结构LSP增强InGaN基LED的制备及测试方法 | 第62-69页 |
| ·表面多孔结构LSP增强InGaN基LED的制备过程 | 第62-64页 |
| ·表面多孔结构LSP增强InGaN基LED的p-GaN表面形貌 | 第64-67页 |
| ·表面多孔结构LSP增强InGaN基LED的测试方法 | 第67-69页 |
| ·Au颗粒LSP增强蓝光LED发光机制研究 | 第69-72页 |
| ·Au颗粒LSP增强蓝光LED的EL谱表征及分析 | 第69-71页 |
| ·Au颗粒LSP增强蓝光LED的增益谱的表征及分析 | 第71-72页 |
| ·Au/Al纳米颗粒LSP增强蓝光LED发光机制研究 | 第72-78页 |
| ·蓝光LED的EL谱表征及分析 | 第72-75页 |
| ·蓝光LED的增益谱表征及分析 | 第75-76页 |
| ·蓝光LED的变电流EL特性 | 第76-78页 |
| ·蓝光LED的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第78页 |
| ·Au/Al颗粒LSP增强宽谱LED发光机制的研究 | 第78-86页 |
| ·宽谱LED的EL谱表征 | 第78-80页 |
| ·宽谱LED的变电流EL谱表征 | 第80-81页 |
| ·宽谱LED的增益谱表征 | 第81-82页 |
| ·宽谱LED的光输出功率及光输出功率增益表征 | 第82-84页 |
| ·Au/Al颗粒LSP增强宽谱LED的发光机制分析 | 第84-86页 |
| ·本章小结 | 第86-87页 |
| 参考文献 | 第87-89页 |
| 第六章 论文工作总结与展望 | 第89-92页 |
| ·论文工作总结 | 第89-90页 |
| ·研究展望 | 第90-92页 |
| 致谢 | 第92-93页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及申请的专利 | 第93-94页 |
