| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-30页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第11-13页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第11-12页 |
| ·ZnO的基本物理性质 | 第12-13页 |
| ·一维ZnO纳米单晶的制备 | 第13-16页 |
| ·气相生长法 | 第13-15页 |
| ·液相生长法 | 第15-16页 |
| ·模板辅助生长法 | 第16页 |
| ·ZnO光致发光的性质研究 | 第16-23页 |
| ·激子复合发光 | 第17-19页 |
| ·杂质缺陷能级发光 | 第19-23页 |
| ·Na掺杂单晶ZnO的研究 | 第23-27页 |
| ·ZnO的p型掺杂 | 第23-24页 |
| ·V族元素在ZnO中的p型掺杂 | 第24-25页 |
| ·I族元素在ZnO中的p型掺杂 | 第25-26页 |
| ·Na掺杂p型ZnO中的研究现状 | 第26-27页 |
| ·本文主要研究内容和思路 | 第27-30页 |
| 第二章 实验内容与性能表征 | 第30-40页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·CVD法制备ZnO纳米线的原理和过程 | 第30-33页 |
| ·实验原理 | 第30-31页 |
| ·生长设备 | 第31页 |
| ·实验步骤 | 第31-33页 |
| ·水热法生长ZnO纳米棒的原理和过程 | 第33-35页 |
| ·实验原理 | 第33-34页 |
| ·实验步骤 | 第34-35页 |
| ·Na离子注入ZnO | 第35页 |
| ·退火方法与条件 | 第35-37页 |
| ·退火原理 | 第35-36页 |
| ·退火设备 | 第36页 |
| ·退火条件与步骤 | 第36-37页 |
| ·材料表征 | 第37-40页 |
| ·扫描电镜(SEM) | 第37页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第37-38页 |
| ·二次离子质谱(SIMS) | 第38页 |
| ·光致发光(PL)谱 | 第38-40页 |
| 第三章 CVD法生长ZnO单晶纳米线的发光性质 | 第40-54页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·CVD法生长ZnO纳米线及其表征 | 第40-44页 |
| ·ZnO纳米棒的生长 | 第40-41页 |
| ·形貌(SEM)表征 | 第41-43页 |
| ·退火处理 | 第43-44页 |
| ·光致发光(PL)谱测试 | 第44页 |
| ·二次离子表面质谱(表面SIMS)测试 | 第44页 |
| ·ZnO单晶纳米线的发光性质研究 | 第44-53页 |
| ·双激子发射 | 第45-49页 |
| ·缺陷发光的精细结构 | 第49-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 Na掺杂ZnO单晶的发光 | 第54-66页 |
| ·引言 | 第54页 |
| ·水热法生长ZnO(ZnO：Na)单晶纳米棒及其性能表征 | 第54-57页 |
| ·ZnO纳米棒的生长 | 第54页 |
| ·ZnO：Na纳米棒的生长 | 第54-55页 |
| ·形貌(SEM)表征 | 第55-56页 |
| ·退火处理 | 第56页 |
| ·光致发光(PL)谱测试 | 第56-57页 |
| ·二次离子质谱(SIMS)测试 | 第57页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS)测试 | 第57页 |
| ·ZnO单晶纳米棒的发光性质研究 | 第57-64页 |
| ·ZnO纳米棒的发光性质 | 第57-58页 |
| ·ZnO：Na纳米棒的发光性质 | 第58-64页 |
| ·Na离子注入ZnO薄膜的发光性质研究 | 第64-65页 |
| ·Na离子注入ZnO薄膜及其退火处理 | 第64页 |
| ·ZnO：Na薄膜的发光性质 | 第64-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 退火对ZnO单晶纳米棒掺杂性能及光学性质的影响 | 第66-72页 |
| ·引言 | 第66页 |
| ·退火对ZnO纳米棒掺杂的影响 | 第66-68页 |
| ·退火引起的非故意掺杂 | 第66-67页 |
| ·退火对水热法生长ZnO纳米棒中Na掺杂的影响 | 第67-68页 |
| ·退火对ZnO单晶纳米棒的光学性质的影响 | 第68-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 第六章 结论与展望 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-82页 |
| 致谢 | 第82-84页 |
| 个人简历 | 第84-86页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第86页 |