| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-26页 |
| §1.1 高压物理学介绍 | 第14-16页 |
| §1.1.1 高压物理学简介 | 第14页 |
| §1.1.2 高压物理学发展历程 | 第14-15页 |
| §1.1.3 高压研究的意义 | 第15-16页 |
| §1.2 高压原位电学测量方法的发展历程 | 第16-17页 |
| §1.3 高压下原位电学测量的方法 | 第17-21页 |
| §1.3.1 高压直流电阻率测量法 | 第17页 |
| §1.3.2 高压交流阻抗谱测量方法 | 第17-20页 |
| §1.3.3 集成金属薄膜电极的优势 | 第20-21页 |
| §1.4 电子结构模拟方法 | 第21-23页 |
| §1.4.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第21-22页 |
| §1.4.2 Kohn-Sham定理 | 第22页 |
| §1.4.3 局域密度近似（LDA）和广义梯度近似（GGA） | 第22-23页 |
| §1.5 有限元法简介 | 第23页 |
| §1.6 论文选题的目的和意义 | 第23-24页 |
| §1.7 论文各部分的内容 | 第24-26页 |
| 第二章 新型电导率测量方法的实验研究 | 第26-38页 |
| §2.1 新方法的设计构想和理论依据 | 第26-28页 |
| §2.1.1 新方法的设计构想 | 第26-27页 |
| §2.1.2 新方法的理论依据 | 第27-28页 |
| §2.2 DAC压腔内的电场分布 | 第28-32页 |
| §2.3 三电极的制备过程 | 第32-34页 |
| §2.4 新电极原位高压测量CdS电阻率结果讨论 | 第34-36页 |
| §2.5 本章小结 | 第36-38页 |
| 第三章 Mg_2Si的高压电学性质研究 | 第38-56页 |
| §3.1 Mg_2Si材料的研究历程 | 第38-42页 |
| §3.2 高压下Mg_2 Si的研究意义 | 第42-43页 |
| §3.3 电极的制备过程 | 第43-46页 |
| §3.4 Mg_2Si原位高压电学测量结果 | 第46-50页 |
| §3.4.1 Mg_2Si的电阻率随压力的变化 | 第47-48页 |
| §3.4.2 不同压力下Mg_2Si的电阻率随温度的变化 | 第48-50页 |
| §3.5 Mg_2Si的电子结构模拟 | 第50-54页 |
| §3.5.1 计算方法和细节 | 第50-51页 |
| §3.5.2 Gibbs自由能 | 第51-52页 |
| §3.5.3 P6_3/mmc结构 | 第52-54页 |
| §3.6 本章小结 | 第54-56页 |
| 第四章 CdS的高压原位阻抗谱的测量 | 第56-68页 |
| §4.1 CdS半导体的研究背景 | 第56-57页 |
| §4.2 CdS高压原位阻抗谱的测量结果与分析 | 第57-66页 |
| §4.2.1 模型引入 | 第59-60页 |
| §4.2.2 不同粒径CdS样品的高压阻抗谱 | 第60-64页 |
| §4.2.3 纳米尺寸CdS样品的高压阻抗谱 | 第64-66页 |
| §4.3 本章小结 | 第66-68页 |
| 第五章 总结 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-80页 |
| 作者简历及在学期间所取得的科研成果 | 第80-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |