| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 1. 绪论 | 第8-13页 |
| ·全球能源形势 | 第8-9页 |
| ·太阳能电池的特点和类型 | 第9页 |
| ·晶体硅太阳能电池的研究进展 | 第9-10页 |
| ·单晶硅太阳能电池 | 第9页 |
| ·多晶硅太阳能电池 | 第9-10页 |
| ·薄膜太阳能电池的研究进展 | 第10-12页 |
| ·硅基薄膜太阳能电池 | 第10-11页 |
| ·化合物半导体薄膜太阳能电池 | 第11页 |
| ·染料敏化太阳能电池 | 第11-12页 |
| ·本论文的目的和研究内容 | 第12页 |
| ·本论文的安排 | 第12-13页 |
| 2. 氢化纳米硅薄膜的特性、制备方法以及表征测试 | 第13-21页 |
| ·氢化纳米硅薄膜的特性 | 第13页 |
| ·氢化纳米硅薄膜的制备方法 | 第13-14页 |
| ·PECVD 及其沉积原理 | 第14-15页 |
| ·等离子体化学气相沉积(PECVD) | 第14-15页 |
| ·氢化纳米硅薄膜 PECVD 沉积机制 | 第15页 |
| ·氢化纳米硅薄膜的微结构，光电学特性的表征方法 | 第15-21页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第15-16页 |
| ·拉曼光谱（Raman） | 第16-18页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第18页 |
| ·紫外透射光谱（UV） | 第18页 |
| ·红外光谱（IR） | 第18-19页 |
| ·场发射扫描电镜（FESEM） | 第19页 |
| ·Keithely 2400 Series SourceMeter 电流源／电压源表 | 第19-20页 |
| ·光暗电导率测试（High Resistance Meter） | 第20-21页 |
| 3. PECVD 法制备掺磷纳米硅薄膜 | 第21-41页 |
| ·样品的制备 | 第21-26页 |
| ·实验设备 | 第22-24页 |
| ·反应气体与衬底 | 第24页 |
| ·样品的制备 | 第24-26页 |
| ·结果与分析 | 第26-40页 |
| ·掺杂浓度的影响 | 第27-33页 |
| ·掺杂对薄膜微结构的影响 | 第28-30页 |
| ·掺杂对薄膜电学性能的影响 | 第30-31页 |
| ·掺杂对薄膜光学性能的影响 | 第31-33页 |
| ·射频功率的影响 | 第33-35页 |
| ·功率对薄膜微结构的影响 | 第33-34页 |
| ·功率对薄膜电学性能的影响 | 第34页 |
| ·功率对薄膜光学性能的影响 | 第34-35页 |
| ·硅烷浓度的影响 | 第35-37页 |
| ·硅烷浓度对薄膜微结构的影响 | 第35-36页 |
| ·硅烷浓度对薄膜电学特性的影响 | 第36-37页 |
| ·硅烷浓度对薄膜光学特性的影响 | 第37页 |
| ·衬底温度的影响 | 第37-40页 |
| ·温度对薄膜微结构的影响 | 第38-39页 |
| ·温度对薄膜电学特性的影响 | 第39页 |
| ·温度对薄膜光学特性的影响 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 4. HIT 异质结太阳能电池制备和性能研究 | 第41-54页 |
| ·HIT 异质结太阳能电池的制备和测试 | 第41-47页 |
| ·电池的结构和原理 | 第41-44页 |
| ·电池的基本参数 | 第44-45页 |
| ·电池的制备过程 | 第45-46页 |
| ·电池的测试 | 第46-47页 |
| ·N 层工艺对电池性能的影响 | 第47-49页 |
| ·掺杂对电池性能的影响 | 第48页 |
| ·N 层厚度对电池性能的影响 | 第48-49页 |
| ·I 层影响 | 第49-50页 |
| ·Al_2O_3钝化层对电池性能的影响 | 第50-53页 |
| ·ALD 制备 Al_2O_3薄膜 | 第50-51页 |
| ·Al_2O_3的特性 | 第51页 |
| ·Al_2O_3的工艺 | 第51-52页 |
| ·结果和分析 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 5. 总结与展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-61页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |