| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-25页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·常见存储器件 | 第11-18页 |
| ·磁致电阻存储器 | 第11-12页 |
| ·铁电存储器 | 第12-13页 |
| ·有机材料记忆存储器 | 第13-14页 |
| ·基于电阻变化的存储器 | 第14-18页 |
| ·High-k材料 | 第18-19页 |
| ·栅电极 | 第19-20页 |
| ·本论文的工作意义、目的和内容 | 第20-22页 |
| 参考文献 | 第22-25页 |
| 第2章 薄膜的制备工艺与性能表征 | 第25-34页 |
| ·陶瓷靶材的制备 | 第25页 |
| ·薄膜制备工艺 | 第25-29页 |
| ·磁控溅射 | 第25-27页 |
| ·分子束外延 | 第27页 |
| ·化学气相沉积法 | 第27页 |
| ·原子层沉积 | 第27-28页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD)系统 | 第28-29页 |
| ·微结构表征 | 第29-30页 |
| ·X射线衍射 | 第29页 |
| ·X射线光电子能谱 | 第29-30页 |
| ·HfSiO_4薄膜阻变器件的制备和电学性能的表征 | 第30-33页 |
| ·HfSiO_4薄膜阻变器件的制备 | 第30-31页 |
| ·HfSiO_4薄膜阻变器件的电学性能测试 | 第31-33页 |
| 参考文献 | 第33-34页 |
| 第3章 HfSiO_4薄膜的阻变性能测试和阻变机理的研究 | 第34-52页 |
| ·HfSiO_4薄膜的热稳定性研究 | 第34-35页 |
| ·HfSiO_4阻变存储器件的电学性能表征 | 第35-38页 |
| ·阻变存储器件的几种导电机制 | 第38-42页 |
| ·空间电荷限制电流效应 | 第38-39页 |
| ·缺陷能级的电荷俘获与释放机制 | 第39-40页 |
| ·RCB(Random Circuit Breakers network model)理论 | 第40-41页 |
| ·Filament理论 | 第41-42页 |
| ·HfSiO_4阻变存储器件的高低阻态导电机制的研究 | 第42-47页 |
| ·HfSiO_4薄膜横向阻变测试 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 第4章 RuTa薄膜电导性质研究 | 第52-64页 |
| ·硅衬底表面处理工艺 | 第52页 |
| ·磁控溅射镀膜 | 第52-53页 |
| ·电阻测量 | 第53-54页 |
| ·RuTa薄膜的热稳定性研究 | 第54-55页 |
| ·薄膜组分及价态分析 | 第55-57页 |
| ·电学性质测量及分析 | 第57-60页 |
| ·微观结构分析(TEM) | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-64页 |
| 第5章 结论与展望 | 第64-66页 |
| ·结论 | 第64页 |
| ·工作展望 | 第64-66页 |
| 硕士期间完成的工作 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
