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晶体中3d~9离子自旋哈密顿参量的理论研究

摘要第1-7页
Abstract第7-13页
第一章 绪论第13-18页
   ·研究背景及意义第13-14页
   ·前人研究现状和本文的研究内容第14-17页
     ·四角八面体对称下3d~9 离子自旋哈密顿参量的研究第14-15页
     ·Cu~(2+)(3d~9)离子八面体正交对称下EPR 参量高阶微扰公式及应用第15-16页
     ·ABS_2(A=Cu,Ag,B=Al,Ga)中四角Ni+中心第16-17页
     ·AgX(X=Cl,Br)中的四角Pd~(3+)中心第17页
   ·本文的基本结构第17-18页
第二章 晶体场与电子顺磁共振的基本理论第18-46页
   ·晶体场理论第18-39页
     ·基本假设第19-20页
     ·晶场势能第20-27页
     ·晶场耦合方案第27-30页
     ·晶体场模型第30-32页
     ·能量矩阵的建立第32-36页
     ·晶体中d~N 离子的共价性第36-39页
     ·Kramers 简并和Jahn-Teller 效应第39页
   ·电子顺磁共振理论第39-46页
     ·电子顺磁共振的基本原理第39-40页
     ·电子顺磁共振谱的线宽和线型第40-42页
     ·电子顺磁共振谱的描述-自旋哈密顿参量第42-44页
     ·顺磁体系的哈密顿量第44页
     ·自旋哈密顿理论简介第44-46页
第三章 四角伸长八面体中3d~9离子自旋哈密顿参量的理论研究第46-63页
   ·d~9 组态的晶场能级第46-48页
   ·伸长八面体中d~9 离子自旋哈密顿参量微扰公式的建立第48-62页
     ·传统晶体场模型公式第49页
     ·离子簇模型处理第49-50页
     ·改进的离子簇模型计算第50-51页
     ·四角伸长八面体中d~9 离子自旋哈密顿参量的微扰公式第51-53页
     ·应用第53-62页
   ·本章小结第62-63页
第四章 斜方(正交)八面体中3d~9离子自旋哈密顿参量理论研究第63-79页
   ·斜方(正交)对称下3d~9 离子的晶场势和能级分裂第63-64页
   ·斜方(正交)八面体中3d~9 离子自旋哈密顿参量的微扰公式第64-66页
     ·伸长八面体情况(~2B_(1g)(ε)为基态)第64-65页
     ·压缩八面体情况(~2A_(1g)’(θ)为基态)第65-66页
   ·应用第66-78页
     ·TiO_2 中斜方Cu~(2+)中心自旋哈密顿参量的理论研究第66-70页
       ·计算第67-69页
       ·结果与讨论第69-70页
     ·Y_2BaCuO_5 中Cu~(2+)中心自旋哈密顿参量的理论研究第70-72页
     ·AWO_4(A=Zn,Cd,Mg)中Cu~(2+)中心自旋哈密顿参量的理论研究第72-78页
   ·本章小结第78-79页
第五章 ABS_2(A=Cu,Ag;B=Al,Ga):Ni~+自旋哈密顿参量的理论研究第79-88页
   ·四角畸变四面体中3d~9 离子的晶场能级分裂第79-80页
   ·四角畸变四面体场中3d~9 离子的自旋哈密顿参量公式建立第80-82页
     ·四面体中的单电子波函数第80-81页
     ·四角畸变四面体中3d~9 离子自旋哈密顿参量微扰公式的建立第81-82页
   ·ABS_2(A=Cu,Ag;B=Al,Ga):Ni~+体系自旋哈密顿参量的理论研究第82-87页
     ·理论计算第83-85页
     ·结果与讨论第85-87页
   ·本章小结第87-88页
第六章 AgX(X=Br,Cl)中四角Pd~(3+)中心自旋哈密顿参量的理论研究第88-97页
   ·4d~7 组态的晶场能级第88页
   ·四角伸长八面体中4d~7 离子自旋哈密顿参量的微扰公式第88-92页
     ·八面体4d~7 体系的离子簇模型处理第89页
     ·四角伸长八面体中4d~7 离子自旋哈密顿参量的微扰公式第89-92页
   ·AgX:Pd~(3+)(X=Cl,Br)自旋哈密顿参量和缺陷结构分析第92-96页
     ·计算第92-95页
     ·结果与讨论第95-96页
   ·本章小结第96-97页
第七章 总结与展望第97-100页
   ·本文的主要工作第97-98页
   ·特色和创新点第98-99页
   ·关于下一步工作的展望第99-100页
致谢第100-101页
参考文献第101-114页
攻博期间取得的研究成果第114-116页

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