| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-18页 |
| ·研究背景及意义 | 第13-14页 |
| ·前人研究现状和本文的研究内容 | 第14-17页 |
| ·四角八面体对称下3d~9 离子自旋哈密顿参量的研究 | 第14-15页 |
| ·Cu~(2+)(3d~9)离子八面体正交对称下EPR 参量高阶微扰公式及应用 | 第15-16页 |
| ·ABS_2(A=Cu,Ag,B=Al,Ga)中四角Ni+中心 | 第16-17页 |
| ·AgX(X=Cl,Br)中的四角Pd~(3+)中心 | 第17页 |
| ·本文的基本结构 | 第17-18页 |
| 第二章 晶体场与电子顺磁共振的基本理论 | 第18-46页 |
| ·晶体场理论 | 第18-39页 |
| ·基本假设 | 第19-20页 |
| ·晶场势能 | 第20-27页 |
| ·晶场耦合方案 | 第27-30页 |
| ·晶体场模型 | 第30-32页 |
| ·能量矩阵的建立 | 第32-36页 |
| ·晶体中d~N 离子的共价性 | 第36-39页 |
| ·Kramers 简并和Jahn-Teller 效应 | 第39页 |
| ·电子顺磁共振理论 | 第39-46页 |
| ·电子顺磁共振的基本原理 | 第39-40页 |
| ·电子顺磁共振谱的线宽和线型 | 第40-42页 |
| ·电子顺磁共振谱的描述-自旋哈密顿参量 | 第42-44页 |
| ·顺磁体系的哈密顿量 | 第44页 |
| ·自旋哈密顿理论简介 | 第44-46页 |
| 第三章 四角伸长八面体中3d~9离子自旋哈密顿参量的理论研究 | 第46-63页 |
| ·d~9 组态的晶场能级 | 第46-48页 |
| ·伸长八面体中d~9 离子自旋哈密顿参量微扰公式的建立 | 第48-62页 |
| ·传统晶体场模型公式 | 第49页 |
| ·离子簇模型处理 | 第49-50页 |
| ·改进的离子簇模型计算 | 第50-51页 |
| ·四角伸长八面体中d~9 离子自旋哈密顿参量的微扰公式 | 第51-53页 |
| ·应用 | 第53-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第四章 斜方(正交)八面体中3d~9离子自旋哈密顿参量理论研究 | 第63-79页 |
| ·斜方(正交)对称下3d~9 离子的晶场势和能级分裂 | 第63-64页 |
| ·斜方(正交)八面体中3d~9 离子自旋哈密顿参量的微扰公式 | 第64-66页 |
| ·伸长八面体情况(~2B_(1g)(ε)为基态) | 第64-65页 |
| ·压缩八面体情况(~2A_(1g)’(θ)为基态) | 第65-66页 |
| ·应用 | 第66-78页 |
| ·TiO_2 中斜方Cu~(2+)中心自旋哈密顿参量的理论研究 | 第66-70页 |
| ·计算 | 第67-69页 |
| ·结果与讨论 | 第69-70页 |
| ·Y_2BaCuO_5 中Cu~(2+)中心自旋哈密顿参量的理论研究 | 第70-72页 |
| ·AWO_4(A=Zn,Cd,Mg)中Cu~(2+)中心自旋哈密顿参量的理论研究 | 第72-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 第五章 ABS_2(A=Cu,Ag;B=Al,Ga):Ni~+自旋哈密顿参量的理论研究 | 第79-88页 |
| ·四角畸变四面体中3d~9 离子的晶场能级分裂 | 第79-80页 |
| ·四角畸变四面体场中3d~9 离子的自旋哈密顿参量公式建立 | 第80-82页 |
| ·四面体中的单电子波函数 | 第80-81页 |
| ·四角畸变四面体中3d~9 离子自旋哈密顿参量微扰公式的建立 | 第81-82页 |
| ·ABS_2(A=Cu,Ag;B=Al,Ga):Ni~+体系自旋哈密顿参量的理论研究 | 第82-87页 |
| ·理论计算 | 第83-85页 |
| ·结果与讨论 | 第85-87页 |
| ·本章小结 | 第87-88页 |
| 第六章 AgX(X=Br,Cl)中四角Pd~(3+)中心自旋哈密顿参量的理论研究 | 第88-97页 |
| ·4d~7 组态的晶场能级 | 第88页 |
| ·四角伸长八面体中4d~7 离子自旋哈密顿参量的微扰公式 | 第88-92页 |
| ·八面体4d~7 体系的离子簇模型处理 | 第89页 |
| ·四角伸长八面体中4d~7 离子自旋哈密顿参量的微扰公式 | 第89-92页 |
| ·AgX:Pd~(3+)(X=Cl,Br)自旋哈密顿参量和缺陷结构分析 | 第92-96页 |
| ·计算 | 第92-95页 |
| ·结果与讨论 | 第95-96页 |
| ·本章小结 | 第96-97页 |
| 第七章 总结与展望 | 第97-100页 |
| ·本文的主要工作 | 第97-98页 |
| ·特色和创新点 | 第98-99页 |
| ·关于下一步工作的展望 | 第99-100页 |
| 致谢 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-114页 |
| 攻博期间取得的研究成果 | 第114-116页 |