首页--工业技术论文--自动化技术、计算机技术论文--计算技术、计算机技术论文--电子数字计算机(不连续作用电子计算机)论文--存贮器论文

基于AFM和硫系相变材料的超高密度数据存储机理研究

摘要第1-8页
ABSTRACT第8-16页
第一章 绪论第16-38页
   ·引言第16页
   ·常用数据存储技术简介第16-18页
     ·磁存储技术第17页
     ·半导体存储技术第17-18页
       ·易失性存储器第17-18页
       ·非易失性存储器第18页
     ·光存储技术第18页
   ·高密度存储技术发展现状第18-28页
     ·高密度磁存储技术第19-20页
     ·高密度半导体存储技术第20页
     ·高密度光存储技术第20-21页
     ·超高密度扫描探针存储技术第21-28页
       ·扫描探针显微术简介第21-23页
       ·扫描探针存储的方法和机理第23-28页
   ·本论文的研究意义及目标第28-30页
   ·本论文研究内容及结构安排第30-32页
 参考文献第32-38页
第二章 存储原理与实验系统设计第38-58页
   ·硫系相变材料概述第38-45页
     ·相变原理第39-41页
     ·相变存储原理第41-43页
     ·相变材料的选择第43-45页
   ·原子力显微镜概述第45-49页
     ·AFM工作原理第45-48页
     ·AFM工作模式第48-49页
   ·相变探针存储机理第49-52页
     ·信息写入机理第50-51页
     ·信息擦除机理第51页
     ·信息读取机理第51-52页
   ·实验系统第52-54页
   ·本章小结第54-55页
 参考文献第55-58页
第三章 存储介质的制备及表征第58-81页
   ·电极层的制备第58-62页
   ·GeSb_2Te_4薄膜的制备第62-67页
     ·表面形貌分析第62-63页
     ·表面形貌的分形表征第63-67页
   ·GeSb_2Te_4薄膜分析第67-77页
     ·成分分析第67页
     ·状态分析第67-70页
     ·内部结构分析第70-72页
     ·晶化分析第72-77页
   ·本章小结第77-78页
 参考文献第78-81页
第四章 存储介质热、电、力学性能分析第81-115页
   ·热学性能分析第81-84页
     ·差示扫描量热分析原理第81-82页
     ·热学参数测定第82-84页
       ·结晶温度测定第82-83页
       ·玻璃化温度测定第83-84页
   ·电学性能分析第84-94页
     ·四探针测薄膜电阻原理第84-86页
     ·电阻率分析第86-88页
       ·退火温度对电阻率的影响第86-88页
       ·薄膜厚度对电阻率的影响第88页
     ·I-V特性分析第88-91页
     ·导电激活能分析第91-94页
   ·力学性能分析第94-110页
     ·纳米压痕测试原理第94-95页
     ·硬度和弹性模量分析第95-98页
     ·粘附与摩擦性能分析第98-106页
       ·粘附力第98-101页
       ·摩擦力第101-103页
       ·结合力第103-106页
     ·应力分析第106-110页
       ·溅射功率对内应力影响第107-108页
       ·退火温度对内应力影响第108-110页
   ·本章小结第110-111页
 参考文献第111-115页
第五章 相变探针存储过程有限元仿真第115-132页
   ·热电耦合模型第115-117页
   ·写入过程仿真第117-121页
     ·时间对写入过程的影响第119-120页
     ·电压对写入过程的影响第120-121页
   ·擦除过程仿真第121-123页
   ·实验验证第123-125页
   ·结构参数分析第125-130页
     ·探针对存储过程的影响第125-128页
       ·探针电导率分析第125-126页
       ·探针热导率分析第126-127页
       ·探针直径分析第127-128页
     ·电极层对存储过程的影响第128-130页
   ·本章小结第130-131页
 参考文献第131-132页
第六章 结论与展望第132-136页
   ·结论第132-133页
   ·展望第133-136页
致谢第136-138页
攻读学位期间发表的学术论文第138页

论文共138页,点击 下载论文
上一篇:基于特征优化和多特征融合的杂草识别方法研究
下一篇:基于非先验函数系的信号识别