基于AFM和硫系相变材料的超高密度数据存储机理研究
摘要 | 第1-8页 |
ABSTRACT | 第8-16页 |
第一章 绪论 | 第16-38页 |
·引言 | 第16页 |
·常用数据存储技术简介 | 第16-18页 |
·磁存储技术 | 第17页 |
·半导体存储技术 | 第17-18页 |
·易失性存储器 | 第17-18页 |
·非易失性存储器 | 第18页 |
·光存储技术 | 第18页 |
·高密度存储技术发展现状 | 第18-28页 |
·高密度磁存储技术 | 第19-20页 |
·高密度半导体存储技术 | 第20页 |
·高密度光存储技术 | 第20-21页 |
·超高密度扫描探针存储技术 | 第21-28页 |
·扫描探针显微术简介 | 第21-23页 |
·扫描探针存储的方法和机理 | 第23-28页 |
·本论文的研究意义及目标 | 第28-30页 |
·本论文研究内容及结构安排 | 第30-32页 |
参考文献 | 第32-38页 |
第二章 存储原理与实验系统设计 | 第38-58页 |
·硫系相变材料概述 | 第38-45页 |
·相变原理 | 第39-41页 |
·相变存储原理 | 第41-43页 |
·相变材料的选择 | 第43-45页 |
·原子力显微镜概述 | 第45-49页 |
·AFM工作原理 | 第45-48页 |
·AFM工作模式 | 第48-49页 |
·相变探针存储机理 | 第49-52页 |
·信息写入机理 | 第50-51页 |
·信息擦除机理 | 第51页 |
·信息读取机理 | 第51-52页 |
·实验系统 | 第52-54页 |
·本章小结 | 第54-55页 |
参考文献 | 第55-58页 |
第三章 存储介质的制备及表征 | 第58-81页 |
·电极层的制备 | 第58-62页 |
·GeSb_2Te_4薄膜的制备 | 第62-67页 |
·表面形貌分析 | 第62-63页 |
·表面形貌的分形表征 | 第63-67页 |
·GeSb_2Te_4薄膜分析 | 第67-77页 |
·成分分析 | 第67页 |
·状态分析 | 第67-70页 |
·内部结构分析 | 第70-72页 |
·晶化分析 | 第72-77页 |
·本章小结 | 第77-78页 |
参考文献 | 第78-81页 |
第四章 存储介质热、电、力学性能分析 | 第81-115页 |
·热学性能分析 | 第81-84页 |
·差示扫描量热分析原理 | 第81-82页 |
·热学参数测定 | 第82-84页 |
·结晶温度测定 | 第82-83页 |
·玻璃化温度测定 | 第83-84页 |
·电学性能分析 | 第84-94页 |
·四探针测薄膜电阻原理 | 第84-86页 |
·电阻率分析 | 第86-88页 |
·退火温度对电阻率的影响 | 第86-88页 |
·薄膜厚度对电阻率的影响 | 第88页 |
·I-V特性分析 | 第88-91页 |
·导电激活能分析 | 第91-94页 |
·力学性能分析 | 第94-110页 |
·纳米压痕测试原理 | 第94-95页 |
·硬度和弹性模量分析 | 第95-98页 |
·粘附与摩擦性能分析 | 第98-106页 |
·粘附力 | 第98-101页 |
·摩擦力 | 第101-103页 |
·结合力 | 第103-106页 |
·应力分析 | 第106-110页 |
·溅射功率对内应力影响 | 第107-108页 |
·退火温度对内应力影响 | 第108-110页 |
·本章小结 | 第110-111页 |
参考文献 | 第111-115页 |
第五章 相变探针存储过程有限元仿真 | 第115-132页 |
·热电耦合模型 | 第115-117页 |
·写入过程仿真 | 第117-121页 |
·时间对写入过程的影响 | 第119-120页 |
·电压对写入过程的影响 | 第120-121页 |
·擦除过程仿真 | 第121-123页 |
·实验验证 | 第123-125页 |
·结构参数分析 | 第125-130页 |
·探针对存储过程的影响 | 第125-128页 |
·探针电导率分析 | 第125-126页 |
·探针热导率分析 | 第126-127页 |
·探针直径分析 | 第127-128页 |
·电极层对存储过程的影响 | 第128-130页 |
·本章小结 | 第130-131页 |
参考文献 | 第131-132页 |
第六章 结论与展望 | 第132-136页 |
·结论 | 第132-133页 |
·展望 | 第133-136页 |
致谢 | 第136-138页 |
攻读学位期间发表的学术论文 | 第138页 |