2T-SRAM设计及其刷新时钟电路的改进
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 致谢 | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-17页 |
| ·课题来源及研究意义 | 第13-14页 |
| ·嵌入式存储器的种类和发展 | 第14-15页 |
| ·2T-SRAM 介绍 | 第15-16页 |
| ·课题的主要工作及技术要点 | 第16页 |
| ·论文章节组成 | 第16-17页 |
| 第二章 2T-SRAM 的分析和设计 | 第17-29页 |
| ·2T-SRAM 的工作原理 | 第17-20页 |
| ·2T-SRAM 的结构 | 第17-18页 |
| ·2T-SRAM 的工作时序 | 第18-20页 |
| ·2T-SRAM 的存储单元 | 第20-23页 |
| ·2T-SRAM 存储单元的介绍 | 第20-22页 |
| ·2T-SRAM 存储单元的特性 | 第22-23页 |
| ·阵列结构布局 | 第23-24页 |
| ·阵列的布局 | 第23-24页 |
| ·局部灵敏放大器的布局 | 第24页 |
| ·译码电路的设计 | 第24-25页 |
| ·时序电路设计 | 第25-26页 |
| ·灵敏放大器的设计 | 第26-27页 |
| ·位线预充电路设计 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 刷新电路的分析与设计 | 第29-40页 |
| ·CMOS 反相器振荡其原理 | 第29-31页 |
| ·实用的环形振荡器 | 第31-32页 |
| ·具有温度特性的刷新时钟 | 第32-38页 |
| ·基于阈值电压温度特性的刷新电路 | 第32-35页 |
| ·基于BJT 的温度特性的刷新电路 | 第35-37页 |
| ·基于亚阈值电流的刷新电路 | 第37-38页 |
| ·结论 | 第38-40页 |
| 第四章 新型刷新电路的设计 | 第40-46页 |
| ·概述 | 第40页 |
| ·刷新频率的设定 | 第40-41页 |
| ·刷新电路的设计 | 第41-45页 |
| ·整体构架 | 第41-42页 |
| ·温度调整单元 | 第42-43页 |
| ·电压检测电路 | 第43-45页 |
| ·输出和反馈电路 | 第45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 仿真结果分析及其版图设计 | 第46-50页 |
| ·刷新时钟电路的仿真结果 | 第46-47页 |
| ·2T-SRAM 操作仿真波形 | 第47-48页 |
| ·版图设计 | 第48-50页 |
| ·整体布局（floor-plan） | 第48-49页 |
| ·Cell 版图设计 | 第49-50页 |
| 第六章 结束语 | 第50-52页 |
| ·总结 | 第50页 |
| ·展望 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第54-55页 |
