摘要 | 第1-6页 |
ABSTRACT | 第6-11页 |
第一章 热电材料研究进展 | 第11-53页 |
·引言 | 第11-12页 |
·热电效应与热电特性 | 第12-15页 |
·热电转换现象 | 第12-13页 |
·载流子浓度 | 第13-14页 |
·电子热导 | 第14-15页 |
·晶格热导 | 第15页 |
·热电材料概述 | 第15-31页 |
·块材热电材料 | 第16-24页 |
·纳米热电材料 | 第24-31页 |
·纳米热电材料的合成与测量手段 | 第31-41页 |
·气相反应合成 | 第31-33页 |
·液相反应合成 | 第33-34页 |
·分解反应 | 第34-35页 |
·电化学模板法 | 第35-39页 |
·纳米热电材料的测量 | 第39-41页 |
·热电材料器件应用 | 第41-46页 |
·热电器件的构成 | 第41-43页 |
·热电器件应用 | 第43-46页 |
·本章小结 | 第46-47页 |
参考文献 | 第47-53页 |
第二章 Bi_xTe_(1-x)纳米线阵列组分与取向调制生长 | 第53-68页 |
·引言 | 第53-54页 |
·多孔氧化铝模板的制备 | 第54-56页 |
·Bi-Te合金纳米线阵列的制备与成分调制 | 第56-61页 |
·热电Bi-Te纳米线阵列的制备 | 第56-57页 |
·Bi-Te纳米线阵列的形貌表征与成份调制 | 第57-60页 |
·Bi-Te纳米线阵列的形成机理研究 | 第60-61页 |
·Bi_2Te_3纳米线阵列的制备与表征 | 第61-65页 |
·Bi_2Te_3纳米线阵列的制备 | 第61页 |
·单晶Bi_2Te_3纳米线阵列的生长条件研究 | 第61-64页 |
·Bi_2Te_3纳米线直径调控生长 | 第64-65页 |
·本章小结 | 第65-66页 |
参考文献 | 第66-68页 |
第三章 限制体系下Bi_2Te_3/Te异质结纳米线阵列合成 | 第68-85页 |
·引言 | 第68-69页 |
·实验设计 | 第69页 |
·过饱和Bi-Te合金纳米线阵列的制备与表征 | 第69-71页 |
·过饱和Bi-Te合金纳米线阵列的合成 | 第69-70页 |
·过饱和Bi-Te纳米线阵列的结构表征 | 第70-71页 |
·Bi_2Te_3/Te异质结纳米线阵列合成与形成机理研究 | 第71-82页 |
·Bi_2Te_3/Te异质结纳米线阵列的制备与表征 | 第71-75页 |
·Bi_2Te_3/Te异质结的形成过程研究 | 第75-81页 |
·Bi_2Te_3/Te异质结纳米线形成机理探讨 | 第81-82页 |
·本章小结 | 第82-83页 |
参考文献 | 第83-85页 |
第四章 调制生长Bi_2Te_3/Sb超晶格纳米线阵列 | 第85-100页 |
·引言 | 第85-86页 |
·Bi_2Te_3/Sb超晶格纳米线阵列的制备 | 第86-91页 |
·电解液的配制 | 第86页 |
·脉冲电沉积的仪器选择 | 第86-89页 |
·脉冲电沉积的参数选择 | 第89-91页 |
·Bi_2Te_3/Sb超晶格纳米线阵列的表征 | 第91-94页 |
·Bi_2Te_3/Sb超晶格纳米线阵列的形貌表征 | 第91-92页 |
·Bi_2Te_3/Sb超晶格纳米线阵列的结构与组成研究 | 第92-94页 |
·Bi_2Te_3/Sb超晶格纳米线阵列的调制生长 | 第94-97页 |
·Bi_2Te_3/Sb超晶格纳米线阵列的周期调制 | 第94-96页 |
·Bi_2Te_3/Sb超晶格纳米线阵列的结区长度比调制 | 第96-97页 |
·本章小结 | 第97-98页 |
参考文献 | 第98-100页 |
第五章 CdTe/Te异质结纳米线阵列的合成与光吸收特性 | 第100-113页 |
·引言 | 第100-101页 |
·实验设计 | 第101-102页 |
·过饱和Cd-Te纳米线阵列的制备与表征 | 第102-104页 |
·实验设计 | 第102页 |
·电化学沉积参数的选择 | 第102-103页 |
·过饱和Cd-Te纳米线阵列的表征 | 第103-104页 |
·CdTe/Te异质结纳米线阵列的表征 | 第104-108页 |
·过饱和Cd-Te纳米线阵列的晶化行为研究 | 第105-106页 |
·CdTe/Te异质结纳米线的形貌与结构表征 | 第106-108页 |
·CdTe/Te异质结纳米线阵列的光吸收特性 | 第108-110页 |
·本章小结 | 第110-111页 |
参考文献 | 第111-113页 |
在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第113-115页 |
致谢 | 第115页 |