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热电纳米线阵列的调制生长研究

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-11页
第一章 热电材料研究进展第11-53页
   ·引言第11-12页
   ·热电效应与热电特性第12-15页
     ·热电转换现象第12-13页
     ·载流子浓度第13-14页
     ·电子热导第14-15页
     ·晶格热导第15页
   ·热电材料概述第15-31页
     ·块材热电材料第16-24页
     ·纳米热电材料第24-31页
   ·纳米热电材料的合成与测量手段第31-41页
     ·气相反应合成第31-33页
     ·液相反应合成第33-34页
     ·分解反应第34-35页
     ·电化学模板法第35-39页
     ·纳米热电材料的测量第39-41页
   ·热电材料器件应用第41-46页
     ·热电器件的构成第41-43页
     ·热电器件应用第43-46页
   ·本章小结第46-47页
 参考文献第47-53页
第二章 Bi_xTe_(1-x)纳米线阵列组分与取向调制生长第53-68页
   ·引言第53-54页
   ·多孔氧化铝模板的制备第54-56页
   ·Bi-Te合金纳米线阵列的制备与成分调制第56-61页
     ·热电Bi-Te纳米线阵列的制备第56-57页
     ·Bi-Te纳米线阵列的形貌表征与成份调制第57-60页
     ·Bi-Te纳米线阵列的形成机理研究第60-61页
   ·Bi_2Te_3纳米线阵列的制备与表征第61-65页
     ·Bi_2Te_3纳米线阵列的制备第61页
     ·单晶Bi_2Te_3纳米线阵列的生长条件研究第61-64页
     ·Bi_2Te_3纳米线直径调控生长第64-65页
   ·本章小结第65-66页
 参考文献第66-68页
第三章 限制体系下Bi_2Te_3/Te异质结纳米线阵列合成第68-85页
   ·引言第68-69页
   ·实验设计第69页
   ·过饱和Bi-Te合金纳米线阵列的制备与表征第69-71页
     ·过饱和Bi-Te合金纳米线阵列的合成第69-70页
     ·过饱和Bi-Te纳米线阵列的结构表征第70-71页
   ·Bi_2Te_3/Te异质结纳米线阵列合成与形成机理研究第71-82页
     ·Bi_2Te_3/Te异质结纳米线阵列的制备与表征第71-75页
     ·Bi_2Te_3/Te异质结的形成过程研究第75-81页
     ·Bi_2Te_3/Te异质结纳米线形成机理探讨第81-82页
   ·本章小结第82-83页
 参考文献第83-85页
第四章 调制生长Bi_2Te_3/Sb超晶格纳米线阵列第85-100页
   ·引言第85-86页
   ·Bi_2Te_3/Sb超晶格纳米线阵列的制备第86-91页
     ·电解液的配制第86页
     ·脉冲电沉积的仪器选择第86-89页
     ·脉冲电沉积的参数选择第89-91页
   ·Bi_2Te_3/Sb超晶格纳米线阵列的表征第91-94页
     ·Bi_2Te_3/Sb超晶格纳米线阵列的形貌表征第91-92页
     ·Bi_2Te_3/Sb超晶格纳米线阵列的结构与组成研究第92-94页
   ·Bi_2Te_3/Sb超晶格纳米线阵列的调制生长第94-97页
     ·Bi_2Te_3/Sb超晶格纳米线阵列的周期调制第94-96页
     ·Bi_2Te_3/Sb超晶格纳米线阵列的结区长度比调制第96-97页
   ·本章小结第97-98页
 参考文献第98-100页
第五章 CdTe/Te异质结纳米线阵列的合成与光吸收特性第100-113页
   ·引言第100-101页
   ·实验设计第101-102页
   ·过饱和Cd-Te纳米线阵列的制备与表征第102-104页
     ·实验设计第102页
     ·电化学沉积参数的选择第102-103页
     ·过饱和Cd-Te纳米线阵列的表征第103-104页
   ·CdTe/Te异质结纳米线阵列的表征第104-108页
     ·过饱和Cd-Te纳米线阵列的晶化行为研究第105-106页
     ·CdTe/Te异质结纳米线的形貌与结构表征第106-108页
   ·CdTe/Te异质结纳米线阵列的光吸收特性第108-110页
   ·本章小结第110-111页
 参考文献第111-113页
在读期间发表的学术论文与取得的研究成果第113-115页
致谢第115页

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