| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-27页 |
| ·引言—微电子学、集成电路和纳米线 | 第7-8页 |
| ·半导体纳米线的制备方法 | 第8-17页 |
| ·自下而上方法 | 第9-11页 |
| ·自上而下方法 | 第11-13页 |
| ·利用定向淀积的方法制备纳米线或其他纳米图形 | 第13-14页 |
| ·减小硅纳米线尺寸的研究进展 | 第14-17页 |
| ·半导体纳米线的应用 | 第17-21页 |
| ·传感器 | 第17-18页 |
| ·发光器件 | 第18页 |
| ·纳米线场效应晶体管 | 第18-19页 |
| ·纳米线单电子晶体管 | 第19-20页 |
| ·存储器 | 第20页 |
| ·电池、光伏器件、发电机 | 第20-21页 |
| ·半导体纳米线化学/生物传感器 | 第21-25页 |
| ·气体传感器 | 第21-22页 |
| ·pH和生物传感器 | 第22-25页 |
| ·课题的研究意义 | 第25-26页 |
| ·论文架构 | 第26-27页 |
| 第二章 纳米压印以及与纳米线传感器制备工艺基础 | 第27-41页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·纳米压印模板的制备和压印前的处理 | 第27-30页 |
| ·纳米压印模板的制备 | 第27-28页 |
| ·压印模板和衬底的清洗 | 第28-29页 |
| ·模板表面的抗黏处理 | 第29-30页 |
| ·压印工艺 | 第30-33页 |
| ·纳米压印工艺简介 | 第30-31页 |
| ·压印胶的性质、旋涂和处理 | 第31-32页 |
| ·压印工艺 | 第32-33页 |
| ·物理气相淀积(PVD)工艺 | 第33-36页 |
| ·物理气相淀积的基本概念和分类 | 第33页 |
| ·纳米压印制备纳米线传感器过程中对于PVD工艺的要求 | 第33-36页 |
| ·干法刻蚀工艺 | 第36-38页 |
| ·光刻胶的干法刻蚀 | 第37页 |
| ·二氧化硅的干法刻蚀 | 第37页 |
| ·硅的干法刻蚀 | 第37-38页 |
| ·硅的湿法刻蚀工艺 | 第38-39页 |
| ·小结 | 第39-41页 |
| 第三章 纳米压印与物理气相淀积相结合的图形转移工艺研究 | 第41-58页 |
| ·引言 | 第41-42页 |
| ·纳米压印工艺在极小尺寸应用时的难点 | 第42-45页 |
| ·纳米压印和物理气相淀积(PVD)的阴影效应制备纳米线条图形研究 | 第45-49页 |
| ·工艺参数对纳米线条尺寸的影响研究 | 第49-56页 |
| ·压印参数优化 | 第49-51页 |
| ·PVD淀积工艺优化 | 第51-54页 |
| ·反应离子刻蚀的参数选择 | 第54-56页 |
| ·小结 | 第56-58页 |
| 第四章 双层结构压印和PVD定向淀积结合制备硅纳米线气体传感器及其性能研究 | 第58-66页 |
| ·引言 | 第58页 |
| ·传感器制备 | 第58-63页 |
| ·衬底的选取和处理 | 第58-60页 |
| ·纳米线的制备 | 第60-61页 |
| ·电极接触的形成 | 第61-62页 |
| ·制备过程的小结和讨论 | 第62-63页 |
| ·气体传感器对NO_2的测试结果 | 第63-65页 |
| ·小结 | 第65-66页 |
| 第五章 硅纳米线气体传感器的性能比较和分析 | 第66-74页 |
| ·引言 | 第66-68页 |
| ·半导体纳米线传感器灵敏度的基本理论 | 第66-67页 |
| ·硅纳米线对二氧化氮的响应机理 | 第67-68页 |
| ·基于三层结构纳米压印和湿法腐蚀工艺制备的硅纳米线气体传感器的测试和分析 | 第68-70页 |
| ·不同制备工艺、尺寸、掺杂浓度的硅纳米线传感器灵敏度的比较和分析 | 第70-72页 |
| ·小结 | 第72-74页 |
| 第六章 硅纳米线pH传感器工艺流程设计 | 第74-81页 |
| ·引言 | 第74页 |
| ·硅纳米线pH值传感器的结构和工艺流程的设计 | 第74-76页 |
| ·无需高精度套准的硅纳米线pH传感器结构和工艺的设计 | 第76-80页 |
| ·对现有工艺条件限制的分析 | 第77-78页 |
| ·改进的硅纳米线传感器结构和工艺流程 | 第78-80页 |
| ·小结 | 第80-81页 |
| 第七章 总结和展望 | 第81-83页 |
| ·全文总结 | 第81-82页 |
| ·未来工作的展望 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-91页 |
| 攻读硕士期间发表论文和申请专利 | 第91-92页 |
| 致谢 | 第92-93页 |
