| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 引言 | 第11-28页 |
| ·铁电薄膜材料 | 第11-16页 |
| ·铁电薄膜材料的历史和现状 | 第13-15页 |
| ·PZT 铁电薄膜材料的生长现状 | 第14页 |
| ·其它铁电薄膜的生长现状 | 第14-15页 |
| ·铁电薄膜存储器 | 第15-16页 |
| ·非挥发铁电存储器 | 第15-16页 |
| ·铁电动态随机存取存储器（DRAM） | 第16页 |
| ·激光感生热电电压效应 | 第16-21页 |
| ·激光感生热电电压信号的发现和理论的发展 | 第16-19页 |
| ·LITV 公式的研究 | 第19-21页 |
| ·LITV 效应的应用 | 第21页 |
| ·脉冲激光沉积薄膜技术 | 第21-26页 |
| ·PLD 的发展历史 | 第21-22页 |
| ·PLD 系统组成 | 第22-24页 |
| ·PLD 工作原理 | 第24-25页 |
| ·PLD 的技术特点和优势 | 第25-26页 |
| ·本论文的选题依据和研究内容 | 第26-28页 |
| 第二章 PB(ZR,TI)O_3铁电薄膜的制备工艺和性质研究 | 第28-61页 |
| ·PB(ZR,TI)O_3 多晶体靶材的制备 | 第28-40页 |
| ·概述 | 第28-29页 |
| ·样品表征 | 第29-31页 |
| ·X-射线衍射（XRD）分析技术 | 第29-31页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第31页 |
| ·固相法制备PZT 多晶靶材过程 | 第31-35页 |
| ·原料计算、样品称量 | 第31-33页 |
| ·研磨和预烧 | 第33页 |
| ·压片成型 | 第33-34页 |
| ·正式烧结、退火及取样 | 第34-35页 |
| ·多晶靶材实验结果及讨论 | 第35-40页 |
| ·PB(ZR,TI)O_3 铁电薄膜的制备和性质 | 第40-59页 |
| ·概述 | 第40-41页 |
| ·PZT 铁电薄膜的制备 | 第41-44页 |
| ·PLD 制备铁电PZT 薄膜过程 | 第41-43页 |
| ·实验系统及参数 | 第43-44页 |
| ·结果与讨论 | 第44-59页 |
| ·Pb(Zr_(0.3)Ti_(0.7))O_3(x=0.3)铁电薄膜分析 | 第47-51页 |
| ·Pb_(1.1)(Zr_(0.3)Ti_(0.7))O_3(x=0.3)铁电薄膜分析 | 第51页 |
| ·Pb(Zr_(0.8)Ti_(0.2))O_3(x=0.8)铁电薄膜分析 | 第51-54页 |
| ·Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3(x=0.53)铁电薄膜分析 | 第54-57页 |
| ·不同掺杂和不同铅含量对薄膜沉积的影响 | 第57-58页 |
| ·铁电性质的测试 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第三章 PB(ZR,TI)O_3铁电薄膜的激光感生电压效应研究 | 第61-69页 |
| ·概述 | 第61页 |
| ·LITV 信号的实验装置和实验过程 | 第61-63页 |
| ·结果与讨论 | 第63-68页 |
| ·首次在PZT 薄膜中发现LITV 效应 | 第63-64页 |
| ·薄膜择优取向对LITV 信号的影响 | 第64-66页 |
| ·LITV 信号的改善 | 第66页 |
| ·不同倾斜角度对LITV 信号的影响 | 第66-68页 |
| ·STO 倾斜衬底上的LITV 信号 | 第67页 |
| ·LAO 倾斜衬底上的LITV 信号 | 第67-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 第四章 结论与展望 | 第69-72页 |
| ·总结 | 第69-70页 |
| ·展望 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-80页 |
| 附录：攻读硕士期间取得的研究成果 | 第80-81页 |
