铝基硅氧化物陶瓷膜层制备、性能及机理研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 目录 | 第9-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-15页 |
| ·课题研究的背景和进展 | 第13页 |
| ·本论文研究的目的 | 第13-14页 |
| ·本文结构和内容提要 | 第14-15页 |
| 第二章 铝基硅氧化物薄膜研究进展 | 第15-33页 |
| ·引言 | 第15页 |
| ·硅氧化物薄膜的制备方法 | 第15-21页 |
| ·物理沉积方法 | 第16-18页 |
| ·化学沉积方法 | 第18-20页 |
| ·其他制备方法 | 第20-21页 |
| ·硅氧化物薄膜性能和机理研究进展 | 第21-27页 |
| ·光学性能 | 第21-23页 |
| ·电学性能 | 第23-25页 |
| ·磁学性能 | 第25页 |
| ·力学性能 | 第25-26页 |
| ·阻隔性能 | 第26-27页 |
| ·其他性能 | 第27页 |
| ·硅氧化物薄膜的应用 | 第27-30页 |
| ·光学器件 | 第27-28页 |
| ·电功能器件 | 第28页 |
| ·光电器件与传感器 | 第28-29页 |
| ·其他功能器件 | 第29页 |
| ·阻隔材料 | 第29页 |
| ·表面改性应用 | 第29-30页 |
| ·其他应用 | 第30页 |
| ·应用小结 | 第30页 |
| ·薄膜生长机理简介 | 第30-32页 |
| ·课题研究方向 | 第32-33页 |
| 第三章 铝基硅氧化物薄膜的制备与实验方法 | 第33-45页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·低温常压化学气相沉积法制备硅氧化物薄膜方法简介 | 第33-39页 |
| ·实验原料的选择 | 第33-36页 |
| ·实验设备简介 | 第36-37页 |
| ·实验样品的预处理 | 第37页 |
| ·薄膜沉积基本过程 | 第37-38页 |
| ·退火工艺 | 第38页 |
| ·聚乙烯涂覆 | 第38-39页 |
| ·铝和铝合金基底硅氧化物薄膜的检测和表征方法 | 第39-45页 |
| ·形貌表征方法 | 第39-41页 |
| ·成分分析方法 | 第41页 |
| ·结构表征方法 | 第41-42页 |
| ·性能检测方法 | 第42-45页 |
| 第四章 铝基硅氧化物薄膜沉积工艺研究 | 第45-75页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·预处理对SiO_x薄膜的影响 | 第45-58页 |
| ·基底表面基本预处理 | 第45-46页 |
| ·电解抛光和阳极氧化预处理 | 第46-58页 |
| ·沉积工艺参数的研究 | 第58-67页 |
| ·温度的影响 | 第58-60页 |
| ·气体成分的影响 | 第60-62页 |
| ·载气的影响 | 第62-63页 |
| ·沉积时间的影响 | 第63-67页 |
| ·最佳沉积工艺 | 第67页 |
| ·后续处理 | 第67-73页 |
| ·退火 | 第68-72页 |
| ·高分子涂覆 | 第72-73页 |
| ·本章小结 | 第73-75页 |
| 第五章 铝基硅氧化物薄膜XPS成分分析 | 第75-101页 |
| ·引言 | 第75页 |
| ·沉积时间对薄膜成分的影响 | 第75-93页 |
| ·薄膜表面成分研究 | 第75-81页 |
| ·薄膜亚表层的成分研究 | 第81-87页 |
| ·薄膜内部成分研究 | 第87-93页 |
| ·铝基硅氧化物薄膜成份深度蚀刻分析 | 第93-99页 |
| ·蚀刻分析XPS谱 | 第93-98页 |
| ·不同沉积时间的影响 | 第98-99页 |
| ·薄膜成分随深度的变化规律 | 第99页 |
| ·本章小结 | 第99-101页 |
| 第六章 铝基硅氧化物薄膜组织形貌与结构分析 | 第101-119页 |
| ·引言 | 第101页 |
| ·X射线衍射分析 | 第101-105页 |
| ·铝基硅氧化物XRD分析 | 第101-102页 |
| ·气相反应硅氧化物粉末XRD分析 | 第102-103页 |
| ·沉积时间的影响 | 第103-105页 |
| ·透射电子显微镜分析 | 第105-110页 |
| ·TEM形貌分析 | 第105-107页 |
| ·TED结构分析 | 第107-109页 |
| ·HRTEM高分辨形貌与结构分析 | 第109-110页 |
| ·光致发光谱分析 | 第110-117页 |
| ·氙灯光致发光谱研究 | 第110-112页 |
| ·激光光致发光谱研究 | 第112-117页 |
| ·本章小结 | 第117-119页 |
| 第七章 铝基硅氧化物薄膜红外光谱分析 | 第119-134页 |
| ·引言 | 第119页 |
| ·红外光谱结构分析 | 第119-131页 |
| ·气相反应硅氧化物粉末IR结构分析 | 第119-122页 |
| ·沉积时间对铝基硅氧化物薄膜红外结构的影响 | 第122-127页 |
| ·铝合金基底硅氧化物薄膜IR结构分析 | 第127-128页 |
| ·铝基底硅氧化物薄膜NIR结构分析 | 第128-130页 |
| ·分析结果讨论 | 第130-131页 |
| ·红外光谱成分分析 | 第131-132页 |
| ·本章小结 | 第132-134页 |
| 第八章 铝基硅氧化物薄膜的生长机理 | 第134-150页 |
| ·引言 | 第134页 |
| ·薄膜生长模型 | 第134-138页 |
| ·薄膜生长机理 | 第134-137页 |
| ·薄膜同基底互扩散机理 | 第137-138页 |
| ·硅氧化物结构模型 | 第138-141页 |
| ·薄膜表面结构 | 第138页 |
| ·薄膜内部结构 | 第138-139页 |
| ·薄膜同基底结合部位结构 | 第139-141页 |
| ·热力学分析 | 第141-143页 |
| ·形核长大热力学分析 | 第141-142页 |
| ·扩散过渡层结构热力学机理 | 第142-143页 |
| ·动力学分析 | 第143-148页 |
| ·气相分子动力学 | 第144-145页 |
| ·形核长大动力学分析 | 第145-146页 |
| ·动力学分析结果讨论 | 第146-148页 |
| ·本章小结 | 第148-150页 |
| 第九章 铝基硅氧化物薄膜的性能研究 | 第150-176页 |
| ·引言 | 第150页 |
| ·铝基硅氧化物薄膜和基底结合性能研究 | 第150-159页 |
| ·拉拔试验 | 第150-151页 |
| ·划痕测试 | 第151-158页 |
| ·薄膜和基底结合力讨论 | 第158-159页 |
| ·硅氧化物薄膜力学性能研究 | 第159-163页 |
| ·薄膜表面显微维氏硬度 | 第159-161页 |
| ·薄膜表面纳米压痕测试 | 第161-163页 |
| ·铝基硅氧化物薄膜磨损性能研究 | 第163-171页 |
| ·磨损量的影响因素 | 第163-166页 |
| ·磨损形貌观察 | 第166-169页 |
| ·磨损机理和结果讨论 | 第169-171页 |
| ·光学性能研究 | 第171-174页 |
| ·薄膜表面光吸收性能 | 第171-173页 |
| ·光致发光性能 | 第173-174页 |
| ·本章小结 | 第174-176页 |
| 第十章 总结与展望 | 第176-180页 |
| ·全文结论 | 第176-178页 |
| ·主要创新性成果 | 第178-179页 |
| ·未来工作展望 | 第179-180页 |
| 参考文献 | 第180-203页 |
| 攻读博士学位期间第一作者发表的课题相关论文 | 第203-205页 |
| 致谢 | 第205-206页 |
