| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 1 绪论 | 第11-14页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·研究的意义 | 第11页 |
| ·课题的来源及研究内容方法 | 第11-13页 |
| ·课题的来源 | 第11-12页 |
| ·研究内容方法 | 第12-13页 |
| ·研究技术路线 | 第13-14页 |
| 2 文献综述 | 第14-21页 |
| ·多弧离子镀技术的概述 | 第14-15页 |
| ·多弧离子镀简介 | 第14-15页 |
| ·多弧离子镀技术的特点 | 第15页 |
| ·计算机模拟技术的概述 | 第15-17页 |
| ·计算机模拟技术的特点 | 第15-16页 |
| ·材料加工工艺的计算机模拟技术 | 第16-17页 |
| ·多弧离子镀的计算机模拟技术的国内外研究现状及发展趋势 | 第17-21页 |
| 3 多弧离子镀沉积过程模拟的理论基础 | 第21-36页 |
| ·真空物理基础 | 第21-23页 |
| ·真空度和真空区域的划分 | 第21页 |
| ·气体分子运动论的相关知识 | 第21-23页 |
| ·等离子体物理基础 | 第23-27页 |
| ·低温等离子体物理概述 | 第23-24页 |
| ·弧光放电特性 | 第24-26页 |
| ·带电粒子与表面的作用 | 第26-27页 |
| ·多弧离子镀的基本原理 | 第27-29页 |
| ·薄膜的生长 | 第29-30页 |
| ·薄膜的生长过程概述 | 第29-30页 |
| ·吸附和凝结过程 | 第30页 |
| ·多弧离子镀薄膜的物理过程分析 | 第30-32页 |
| ·影响多弧离子镀的涂层质量的主要工艺参数 | 第32-33页 |
| ·轰击负偏压 | 第32-33页 |
| ·反应气体压强 | 第33页 |
| ·多弧离子镀的离化率和成分离析效应 | 第33-36页 |
| ·阴极电弧产物与离化现象 | 第33-34页 |
| ·离化率 | 第34-35页 |
| ·成分离析效应 | 第35-36页 |
| 4 数学模型的建立 | 第36-46页 |
| ·电场强度的计算 | 第37-43页 |
| ·通过电荷Q 计算的电场强度转化为用偏压U 表述的电场强度 | 第43-44页 |
| ·带电粒子在电场中的受力分析及其速度和位移的计算 | 第44-45页 |
| ·模拟带电粒子在电场中运动的轨迹 | 第45-46页 |
| 5 程序的编制 | 第46-54页 |
| ·模拟的内容 | 第46页 |
| ·软件介绍 | 第46页 |
| ·程序语言的介绍 | 第46-49页 |
| ·面向对象的程序设计 | 第46-47页 |
| ·Visual C 语言的介绍 | 第47页 |
| ·程序设计的基本步骤 | 第47-49页 |
| ·系统框图 | 第49-50页 |
| ·系统流程图 | 第50-51页 |
| ·算法流程图 | 第51-54页 |
| 6 模拟结果与讨论 | 第54-94页 |
| ·粒子蒸发过程的模拟结果 | 第54-60页 |
| ·粒子蒸发的宏观过程 | 第54-57页 |
| ·粒子蒸发的微观过程 | 第57-60页 |
| ·偏压电场分布情况的模拟结果 | 第60-63页 |
| ·偏压电场分布曲线 | 第60-61页 |
| ·一个粒子在偏压电场内的运动情况 | 第61-63页 |
| ·粒子运动过程的模拟结果 | 第63-81页 |
| ·粒子吸附过程的模拟结果 | 第81-84页 |
| ·模拟结果的讨论与验证 | 第84-94页 |
| ·偏压电场及其分布情况 | 第84-85页 |
| ·偏压对涂层均匀性的影响 | 第85-86页 |
| ·成分离析效应的分析 | 第86-94页 |
| 7 结论 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-98页 |
| 附录 A 主要程序代码 | 第98-144页 |
| 在学研究成果 | 第144-145页 |
| 致谢 | 第145页 |