| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 引言 | 第10-12页 |
| 1.2 有机光敏场效应管的研究发展情况 | 第12-15页 |
| 1.3 PhOFET的特点及应用 | 第15-16页 |
| 1.4 PhOFET的面临的挑战 | 第16页 |
| 1.5 本论文选题的目的及创新点 | 第16-18页 |
| 参考文献 | 第18-21页 |
| 第二章 PhOFET材料、器件结构、基本理论及其制备工艺方法 | 第21-49页 |
| 2.1 PhOFET器件结构 | 第21页 |
| 2.2 PhOFET所用到的材料 | 第21-31页 |
| 2.2.1 绝缘层栅介质材料 | 第22-25页 |
| 2.2.2 活性层材料 | 第25-30页 |
| 2.2.3 电极材料 | 第30-31页 |
| 2.2.4 衬底材料 | 第31页 |
| 2.3 PhOFET的工作原理及性能表征参数 | 第31-36页 |
| 2.3.1 PhOFET的工作原理 | 第31-33页 |
| 2.3.2 PhOFET性能参数 | 第33-36页 |
| 2.4 制备器件薄膜工艺和优化方法 | 第36-38页 |
| 2.5 本章小结 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-49页 |
| 第三章 基于富勒烯（C60）沟道材料的高性能PhOFET | 第49-73页 |
| 3.1 研究背景 | 第49页 |
| 3.2 器件制备流程 | 第49-50页 |
| 3.3 C60作为沟道传输层 | 第50-70页 |
| 3.3.1 C60和PbPc薄膜紫外-可见光吸收光谱 | 第50-52页 |
| 3.3.2 绝缘栅介质为PVA的PhOFET光敏特性 | 第52-54页 |
| 3.3.3 绝缘栅介质为SiO2的PhOFET的光敏特性 | 第54-57页 |
| 3.3.4 绝缘栅介质对PhOFET的光敏特性的影响 | 第57-62页 |
| 3.3.5 器件结构对光敏场效应管性能的影响 | 第62-68页 |
| 3.3.6 平面异质结与体异质结激子解离效率比较 | 第68-70页 |
| 3.4 本章小结 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
| 第四章 基于氧化锌（ZnO）沟道材料的PhOIFET | 第73-94页 |
| 4.1 研究背景 | 第73-74页 |
| 4.2 材料的制备与器件的制备流程 | 第74-76页 |
| 4.2.1 溶胶凝胶法ZnO薄膜制备 | 第74-75页 |
| 4.2.2 器件制备 | 第75-76页 |
| 4.3 器件性能测试与讨论 | 第76-90页 |
| 4.3.1 光敏层PbPc和沟道传输层ZnO薄膜的光吸收特性 | 第76-77页 |
| 4.3.2 基于溶胶凝胶法ZnO薄膜的底栅顶接触PhOIFET的性能与讨论 | 第77-82页 |
| 4.3.3 金作为源漏电极的底栅顶接触PhOIFET的性能分析与讨论 | 第82-84页 |
| 4.3.4 基于底栅电极埋层结构的PhOIFET的性能分析与讨论 | 第84-90页 |
| 4.4 本章小结 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-94页 |
| 第五章 基于二硫化钼(MoS_2)沟道材料的高性能PhOIFET | 第94-112页 |
| 5.1 研究背景 | 第94页 |
| 5.2 材料制备与器件制作流程 | 第94-95页 |
| 5.2.1 MoS_2薄膜的制备 | 第94-95页 |
| 5.2.2 基于铝、金、银和铜四种不同电极的近红外光敏器件制备 | 第95页 |
| 5.3 器件的性能测试与讨论 | 第95-109页 |
| 5.3.1 MoS_2和PbPc薄膜的表征 | 第95-99页 |
| 5.3.2 基于MoS_2和PbPc异质结的Ph OIFET电学特性 | 第99-104页 |
| 5.3.3 基于MoS_2和PbPc异质结的Ph OIFET近红外光敏特性 | 第104-109页 |
| 5.4 本章小结 | 第109-110页 |
| 参考文献 | 第110-112页 |
| 第六章 总结与展望 | 第112-114页 |
| 6.1 全文总结 | 第112-113页 |
| 6.2 未来研究工作的展望 | 第113-114页 |
| 参考文献 | 第114-115页 |
| 附录A 缩写词列表 | 第115-121页 |
| 附录B 物理量列表 | 第121-123页 |
| 在学期间的研究成果 | 第123-125页 |
| 致谢 | 第125-126页 |
