| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-5页 |
| 第一章 半导体氧化物气敏材料的研究现状 | 第5-21页 |
| ·气敏传感器的分类 | 第5-6页 |
| ·半导体氧化物气敏材料的发展及应用 | 第6-8页 |
| ·金属氧化物半导体的基本理论 | 第8-10页 |
| ·半导体的能带结构 | 第8-9页 |
| ·氧化物半导体的缺陷 | 第9-10页 |
| ·半导体氧化物的气敏机理 | 第10-14页 |
| ·表面吸附控制型 | 第11页 |
| ·体电阻控制型 | 第11页 |
| ·氧离子陷阱势垒模型 | 第11-13页 |
| ·吸附氧理论 | 第13-14页 |
| ·半导体气敏传感器的主要参数与特性 | 第14-15页 |
| ·SnO_2基纳米复合氧化物半导体气敏材料研究现状 | 第15-18页 |
| ·纳米粒子的结构和特性 | 第15-16页 |
| ·过渡、稀土金属元素掺杂的 SnO_2膜传感器研究 | 第16页 |
| ·杂化氧化物的 SnO_2传感器的研究 | 第16-17页 |
| ·SnO_2基半导体气敏材料的特点及存在的技术问题 | 第17-18页 |
| ·研究目的和内容 | 第18-21页 |
| 第二章 Sb掺杂对 CdSnO_3电导及气敏特性的影响 | 第21-35页 |
| ·元件制备和工作原理 | 第21-22页 |
| ·样品的制备 | 第22-23页 |
| ·固溶特性 | 第23-24页 |
| ·缺陷化学与导电机理 | 第24-33页 |
| ·电导由晶界电导和体电导共同决定 | 第24-26页 |
| ·气敏特性主要由界面电导决定 | 第26-28页 |
| ·缺陷与电导间的关系 | 第28-30页 |
| ·气敏性能与能垒的关系 | 第30-33页 |
| ·响应恢复特性 | 第33页 |
| ·结论 | 第33-35页 |
| 第三章 SnO_2-Co_3O_4对丙酮和酒精的气敏性能 | 第35-42页 |
| ·样品的制备 | 第35页 |
| ·样品的表征 | 第35-36页 |
| ·气敏性能 | 第36-40页 |
| ·电阻变化 | 第36-37页 |
| ·气敏特性 | 第37-39页 |
| ·响应恢复特性 | 第39-40页 |
| ·结论 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-45页 |
| 致谢 | 第45页 |
