大功率静电感应器件制造技术的研究
| 第1章 引言 | 第1-10页 |
| 第2章 作用机理 | 第10-22页 |
| ·SITH的结构和Ⅰ—Ⅴ特性 | 第10-16页 |
| ·结构 | 第10-12页 |
| ·Ⅰ—Ⅴ特性 | 第12-14页 |
| ·作用机制的物理分析 | 第14-16页 |
| ·器件电势分析 | 第16-22页 |
| ·基本电势方程 | 第16-18页 |
| ·求解电势方程 | 第18-22页 |
| 第3章 SITH制造技术的研究 | 第22-35页 |
| ·材料选取 | 第22-23页 |
| ·结构设计 | 第23-27页 |
| ·沟道厚度 | 第24-25页 |
| ·沟道长度L_c | 第25-26页 |
| ·栅体厚度 | 第26页 |
| ·栅体宽度 | 第26-27页 |
| ·外延 | 第27-32页 |
| ·主要工艺 | 第27-28页 |
| ·技术关键 | 第28-29页 |
| ·影响自掺杂的因素 | 第29-31页 |
| ·减小自掺杂的措施 | 第31-32页 |
| ·背面腐蚀 | 第32-33页 |
| ·正向阻断电压BV_(AK) | 第33-35页 |
| 第4章 台面和槽的刻蚀 | 第35-46页 |
| ·台面刻蚀 | 第35-40页 |
| ·台深与V_(gs)(V_(gk))之间的关系 | 第35-38页 |
| ·台面的边缘造型 | 第38页 |
| ·台面刻蚀工艺 | 第38-40页 |
| ·槽刻蚀 | 第40-44页 |
| ·用槽结构减少寄生效应并改善器件的电性能 | 第40-41页 |
| ·槽刻蚀工艺 | 第41页 |
| ·工艺顺序 | 第41-44页 |
| ·结论 | 第44-46页 |
| 第5章 SIT制造技术的研究 | 第46-55页 |
| ·材料选取 | 第46页 |
| ·版图设计 | 第46-51页 |
| ·扩硼版 | 第46-47页 |
| ·预扩浓硼版 | 第47页 |
| ·染磷版 | 第47-48页 |
| ·台面版 | 第48页 |
| ·槽版 | 第48页 |
| ·栅极补硼版 | 第48页 |
| ·源区扩磷版 | 第48-49页 |
| ·引线孔版与反刻版 | 第49-50页 |
| ·带限场环的扩硼版与切断环版 | 第50-51页 |
| ·切断环版 | 第51页 |
| ·工艺流程设计 | 第51-54页 |
| ·结论 | 第54-55页 |
| 第6章 负阻转折 | 第55-61页 |
| ·SCR负阻转折机理 | 第55-57页 |
| ·SITH负阻转折的物理机制 | 第57-61页 |
| 第7章 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
