| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 1 绪论 | 第7-15页 |
| ·微电子技术的发展与极限 | 第7-9页 |
| ·栅极漏电流的研究意义 | 第9-11页 |
| ·栅极漏电流的研究概况 | 第11-12页 |
| ·栅极漏电流研究模型存在的主要问题 | 第12-13页 |
| ·本论文的主要工作 | 第13-15页 |
| 2 MOSFET 反型层量子化自洽计算 | 第15-26页 |
| ·反型层量子化分析 | 第15-17页 |
| ·泊松方程和薛定谔方程的离散化 | 第17-21页 |
| ·自洽求解薛定谔方程和泊松方程 | 第21-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 3 SI N-MOSFET 直接隧穿电流模型 | 第26-38页 |
| ·WKB 方法概述 | 第26-31页 |
| ·直接隧穿电流模型的建立 | 第31-33页 |
| ·模拟结果分析 | 第33-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 4 HFO_2栅介质 MOS 电容栅极漏电实验研究 | 第38-51页 |
| ·MOS 结构中的各种缺陷电荷 | 第38-40页 |
| ·栅极漏电流的产生机制 | 第40-43页 |
| ·实验样品的制备和测量 | 第43-44页 |
| ·实验结果与讨论 | 第44-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 5 结论 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-61页 |
| 附录 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第61页 |