| 第一章 引言 | 第1-9页 |
| 第二章 GMI效应研究状况及其应用 | 第9-22页 |
| ·非晶软磁丝和带中的GMI效应 | 第9-11页 |
| ·单层膜和三明治膜的GMI效应 | 第11-13页 |
| ·Fe基纳米晶的 GMI效应 | 第13-15页 |
| ·GMI效应的应用 | 第15-22页 |
| ·GMI微型传感头组件 | 第17页 |
| ·快速响应大电流传感器 | 第17-18页 |
| ·位移传感器 | 第18-19页 |
| ·磁旋转编码器 | 第19-20页 |
| ·薄膜磁传感器 | 第20-22页 |
| 第三章 理论研究概况 | 第22-32页 |
| ·非晶磁性材料 | 第24-26页 |
| ·非晶丝 | 第25-26页 |
| ·非晶带 | 第26页 |
| ·纳米晶磁性材料 | 第26-27页 |
| ·巨磁阻抗效应与驱动电流频率的关系 | 第27-30页 |
| ·GMI效应的动态特性-阻抗后效效应 | 第30-32页 |
| 第四章 非晶软磁材料处理方法的介绍 | 第32-48页 |
| ·退火对 GMI效应的影响 | 第32-35页 |
| ·磁场退火对 GMI效应的影响 | 第35-39页 |
| ·应力退火对 GMI效应的影响 | 第39-41页 |
| ·电流退火对 GMI效应的影响 | 第41-45页 |
| ·化学处理 | 第45-48页 |
| 第五章 铁基非晶薄带的巨磁阻杭效应研究 | 第48-61页 |
| ·样品成分的配比 | 第49-52页 |
| ·配比的目的和可能性 | 第49页 |
| ·B含量的确定 | 第49-50页 |
| ·Zr和 Nb成分的含量及配比关系 | 第50-52页 |
| ·In在合金中的作用 | 第52页 |
| ·GMI材料的制备 | 第52-54页 |
| ·FezrlnNbB薄带的磁特性和 GMI效应的研究 | 第54-58页 |
| ·FeZrxnNbB薄带的磁特性的研究 | 第54-55页 |
| ·FeZrlnNbB薄带 GMI特性的研究 | 第55-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| ·前景展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-68页 |
| 摘要 | 第68-71页 |
| Abstract | 第71-74页 |
| 致谢 | 第74页 |