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二次电子发射与航天器表面充电的研究

摘要第1-6页
Abstract第6-8页
第1章 绪论第8-15页
   ·研究背景及意义第8-9页
   ·航天器充电效应第9-10页
     ·航天器表面充电第9页
     ·航天器内部充电第9-10页
     ·两者的区别第10页
   ·国内外研究概况第10-13页
     ·表面充电的国内外研究概况第10-12页
     ·内部充电的国内外研究概况第12-13页
   ·研究内容与方法第13-15页
第2章 航天器表面材料及其二次电子发射特性第15-23页
   ·航天器表面材料及其性能要求第15-17页
     ·航天器的结构材料第15页
     ·空间环境对航天器结构的作用第15-16页
     ·表面材料的性能要求第16-17页
   ·表面材料的种类第17-18页
     ·金属材料第17-18页
     ·非金属材料第18页
   ·二次电子发射第18-19页
   ·影响材料二次电子发射系数的因素第19-22页
     ·逸出功的影响第19-20页
     ·晶体结构与温度第20页
     ·入射角的影响第20-21页
     ·原子氧的影响第21页
     ·原初电子能量的影响第21页
     ·电场的影响第21-22页
   ·本章小结第22-23页
第3章 金属二次电子发射系数的公式第23-42页
   ·主要物理过程及理论模型第23-25页
     ·主要物理过程第23页
     ·最大二次电子发射系数第23-24页
     ·原电子激发产生的二次电子数第24-25页
     ·二次电子发射系数第25页
   ·金属2-10keV二次电子发射系数的通式第25-30页
     ·公式的推导第26页
     ·比率和背散射系数第26-27页
     ·E(z)的计算和通式第27-28页
     ·分析与讨论第28-30页
   ·金属10-100keV二次电子发射系数的通式第30-34页
     ·公式的推导第30-31页
     ·能量幂次n第31页
     ·F(z,n)的计算和通式第31-32页
     ·分析与讨论第32-34页
   ·斜入射时金属二次电子发射的理论模型第34-36页
     ·原电子产生的二次电子发射系数第35-36页
     ·二次电子发射系数第36页
   ·斜入射金属2-10keV二次电子发射系数的通式第36-38页
     ·比率、背散射系数及通式第36-37页
     ·分析与讨论第37-38页
   ·斜入射金属10-102keV二次电子发射系数的通式第38-41页
     ·比率、背散射系数及通式第38-39页
     ·分析与讨论第39-41页
   ·本章小结第41-42页
第4章 航天器表面电位的数值计算与研究第42-59页
   ·地球同步轨道电子能谱第42-43页
   ·次级电子发射系数第43-47页
     ·由入射电子引起的二次电子第43-46页
     ·由入射离子引起的次级电子第46-47页
   ·局部电流平衡模型第47-48页
   ·带电粒子的数通量表达式第48-50页
     ·环境电子数通量表达式J_e第48页
     ·环境离子数通量表达式J_i第48-49页
     ·二次电子和背散射电子的数通量表达式J_(se)和J_(bse)第49-50页
     ·由J_i引起的次级电子数通量表达J_(si)第50页
   ·MATLAB数值计算方法第50-55页
     ·Gauss-Legendre求积公式第51-52页
     ·Gauss-Laguerre求积公式第52-54页
     ·二分法第54-55页
   ·计算结果与分析第55-58页
   ·本章小结第58-59页
第5章 总结第59-60页
参考文献第60-68页
致谢第68-69页
作者简介第69页

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