| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·存储器的分类 | 第10-11页 |
| ·存储器的发展 | 第11-13页 |
| ·存储器工艺的发展 | 第11-12页 |
| ·存储器技术的发展 | 第12-13页 |
| ·铁电存储器的发展 | 第13-15页 |
| ·FeRAM 和其他半导体存储器的性能对比 | 第15-16页 |
| ·铁电存储器的应用 | 第16-18页 |
| ·铁电存储器的技术现状 | 第18-20页 |
| ·本文工作的意义与价值 | 第20-21页 |
| ·本章小结 | 第21-22页 |
| 第二章 铁电材料 | 第22-35页 |
| ·引言 | 第22页 |
| ·铁电材料的工作原理 | 第22-23页 |
| ·材料选择原则 | 第23-24页 |
| ·常用铁电材料与电极材料 | 第24-26页 |
| ·钙钛矿(Perovskite)结构及 PZT 材料 | 第24-25页 |
| ·其他类型的铁电材料及比较 | 第25-26页 |
| ·电极材料的选择与比较 | 第26-27页 |
| ·铁电特性 | 第27-29页 |
| ·铁电的可靠性问题 | 第29-34页 |
| ·疲劳 | 第30-32页 |
| ·保持 | 第32-34页 |
| ·印记 | 第34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 铁电存储器单元结构 | 第35-45页 |
| ·引言 | 第35-36页 |
| ·铁电存储单元结构 | 第36-42页 |
| ·1T/1C 存储单元的工作原理 | 第36-39页 |
| ·2T /2C 存储单元的工作原理 | 第39页 |
| ·FEMFET 存储单元及工作原理 | 第39-41页 |
| ·1T/2C 存储单元 | 第41页 |
| ·其他结构的存储单元 | 第41页 |
| ·2T/2C 单元结构与1T/1C 存储单元的比较 | 第41-42页 |
| ·工艺结构 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 存储器电路的设计 | 第45-63页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·静态存储器的基本工作原理 | 第45-47页 |
| ·SRAM 的静态存储单元 | 第45-46页 |
| ·SRAM 的工作原理 | 第46-47页 |
| ·SRAM 的写过程 | 第46-47页 |
| ·SRAM 的读过程 | 第47页 |
| ·静态存储器的结构 | 第47-54页 |
| ·地址缓冲器 | 第48页 |
| ·地址译码器 | 第48-49页 |
| ·敏感放大器的设计 | 第49-52页 |
| ·控制电路 | 第52-53页 |
| ·其他逻辑电路 | 第53-54页 |
| ·SRAM 的电路仿真 | 第54-55页 |
| ·铁电存储器部分电路的设计 | 第55-62页 |
| ·读出电路的设计 | 第56-60页 |
| ·版图的设计 | 第60-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 铁电存储器工艺的研究 | 第63-77页 |
| ·引言 | 第63页 |
| ·铁电薄膜的制备 | 第63页 |
| ·铁电薄膜的清洗 | 第63-66页 |
| ·铁电薄膜的图形化 | 第66-68页 |
| ·干法刻蚀 | 第66-67页 |
| ·湿法刻蚀 | 第67-68页 |
| ·铁电存储器工艺流程 | 第68-74页 |
| ·标准CMOS 工艺 | 第69-71页 |
| ·铁电电容工艺 | 第71-74页 |
| ·下电极的制备 | 第72-73页 |
| ·铁电薄膜图形的制作 | 第73页 |
| ·上电极的制作 | 第73页 |
| ·淀积PECVD SiO_2 | 第73-74页 |
| ·铝引线的制备和封装 | 第74页 |
| ·孔的刻蚀 | 第74页 |
| ·铝引线的制备 | 第74页 |
| ·钝化 | 第74页 |
| ·FeRAM 工艺集成中的问题 | 第74-75页 |
| ·本章小结 | 第75-77页 |
| 第六章 结论与展望 | 第77-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-84页 |
| 附 录 1 | 第84-87页 |
| 个人简历 | 第87页 |
| 发表论文情况 | 第87页 |