| 第一章 绪论 | 第1-13页 |
| 1．1 发展历史及现状 | 第7-11页 |
| 1．1．1 RTD 的发展历史及现状 | 第7-9页 |
| 1．1．2 MSM 的发展与现状 | 第9-10页 |
| 1．1．3 HEMT 的发展与现状 | 第10-11页 |
| 1．2 待研究的光电逻辑单元电路 | 第11-12页 |
| 1．3 本论文的任务 | 第12-13页 |
| 第二章 RTD,HEMT和MSM器件工作原理 | 第13-23页 |
| 2．1 RTD 的器件原理 | 第13-17页 |
| 2．1．1 半导体超晶格 | 第13页 |
| 2．1．2 RTD 的电流特性 | 第13-16页 |
| 2．1．3 由RTD 发展到RTT | 第16页 |
| 2．1．4 RTD 的特点 | 第16-17页 |
| 2．2 HEMT 的结构及工作原理 | 第17-19页 |
| 2．3 MSM 光电探测器 | 第19-23页 |
| 2．3．1 LT-GaAs MSM-PD | 第20页 |
| 2．3．2 GaAs HMSM—PD | 第20页 |
| 2．3．3 引入内建电场型GaAs MSM-PD | 第20-21页 |
| 2．3．4 ITO/GaAs MSM-PD | 第21-22页 |
| 2．3．5 窄FW、窄FS 超高速GaAs MSM-PD | 第22-23页 |
| 第三章 器件设计模拟与测试 | 第23-34页 |
| 3．1 RTD 设计 | 第23-24页 |
| 3．2 RTD 器件模拟 | 第24-27页 |
| 3．3 HEMT 设计 | 第27-29页 |
| 3．4 HEMT 器件模拟 | 第29-32页 |
| 3．5 MSM 设计 | 第32-34页 |
| 第四章 工艺研制与版图设计 | 第34-44页 |
| 4．1 单项工艺 | 第34-42页 |
| 4．1．1 分子束外延技术(MBE) | 第34-35页 |
| 4．1．2 低压化学汽相淀积(LPCVD) | 第35页 |
| 4．1．3 真空磁控溅射 | 第35-37页 |
| 4．1．4 光刻 | 第37-39页 |
| 4．1．5 选择腐蚀技术 | 第39-40页 |
| 4．1．6 正性抗蚀剂(正胶)与金属剥离工艺 | 第40-41页 |
| 4．1．7 欧姆接触形成 | 第41-42页 |
| 4．2 版图 | 第42-43页 |
| 4．3 RTD 或RTD+HEMT+MSM 工艺流程 | 第43-44页 |
| 第五章 电路模拟与测试 | 第44-52页 |
| 5．1 RTD 器件的电路模型 | 第44-46页 |
| 5．2 RTD 电路特性 | 第46-49页 |
| 5．3 电路模拟及测试结果 | 第49-52页 |
| 第六章 总结 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第57-58页 |
| 附录 | 第58-63页 |
| 致谢 | 第63页 |