| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| ·课题背景 | 第8-9页 |
| ·GaN的基本性质及制备方法 | 第9-15页 |
| ·GaN的基本性质 | 第9-12页 |
| ·GaN的制备方法 | 第12-15页 |
| ·ECR等离子体技术的应用前景 | 第15-18页 |
| ·ECR等离子体沉积薄膜技术 | 第15-16页 |
| ·干法刻蚀 | 第16-17页 |
| ·材料表面改性 | 第17页 |
| ·其他 | 第17-18页 |
| ·本文研究的目的、意义和基本内容 | 第18-19页 |
| 第二章 ECR等离子体技术 | 第19-26页 |
| ·ECR等离子体 | 第19-25页 |
| ·ECR等离子体原理 | 第19-24页 |
| ·等离子体中的物理化学过程 | 第24-25页 |
| ·ECR等离子体的优点 | 第25页 |
| ·小结 | 第25-26页 |
| 第三章 ECR-PECVD系统 | 第26-31页 |
| ·ECR-PECVD系统结构 | 第26-30页 |
| ·等离子体产生系统 | 第27-28页 |
| ·真空系统 | 第28-29页 |
| ·配气系统 | 第29-30页 |
| ·样品台 | 第30页 |
| ·ECR-PECVD150的优点 | 第30-31页 |
| 第四章 ECR等离子体参数诊断 | 第31-55页 |
| ·静电探针诊断原理 | 第32-38页 |
| ·单探针诊断原理 | 第32-36页 |
| ·双探针诊断原理 | 第36-38页 |
| ·其他诊断方法 | 第38页 |
| ·等离子体参数分布特性 | 第38-52页 |
| ·反应室等离子体密度、电子温度空间分布规律 | 第39-46页 |
| ·反应室等离子体密度径向分布规律 | 第46-48页 |
| ·反应室等离子体密度与工作气压、微波功率的关系 | 第48-50页 |
| ·反应室等离子体密度轴向分布规律 | 第50-52页 |
| ·单探针和双探针测量结果的比较 | 第52-54页 |
| ·测量结果分析与讨论 | 第52-54页 |
| ·小结 | 第54-55页 |
| 第五章 ECR等离子体沉积GaN薄膜工艺与结果分析 | 第55-65页 |
| ·ECR等离子体沉积GaN薄膜工艺 | 第55-57页 |
| ·GaN薄膜测试结果与分析 | 第57-64页 |
| ·小结 | 第64-65页 |
| 第六章 结论及展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 发表及待发表论文及专利 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |